[发明专利]安全电子芯片

说明书

本公开涉及安全电子芯片，具体涉及一种包含多个偏置半导体阱和阱偏置电流检测电路的安全电子芯片。

本申请要求于2015年10月22日提交的第15/60089号法国专利申请的优先权权益，该申请的全部内容以法律允许的最大程度通过引用结合于此。

技术领域

本申请涉及电子芯片，具体涉及防攻击的电子芯片。

背景技术

包含机密数据的电子芯片、如银行卡芯片，可能会受到盗版的攻击，这些盗版企图确定芯片的操作并企图从其提取机密信息。攻击可能会对连接在电源端子之间的工作芯片进行。进行该攻击的一种方式是盗版者采用干扰芯片操作的脉冲激光束来扫描芯片表面。对该干扰结果的观测，有时称为错误，使得盗版者能够进行该攻击。为了干扰芯片的操作，盗版者还会在芯片表面形成触点并向其施加电压。盗版者还在芯片表面附近设置线圈以发射电磁干扰。

期望具有不受被称作错误注入攻击的这类攻击的电子芯片，已知设备具有各种缺点和实施问题。

发明内容

从而，实施例提供一种安全电子芯片，其包括多个偏置半导体阱和阱偏置电流检测电路。

根据实施例，该检测电路能够在该偏置电流的绝对值大于阈值时产生报警信号。

根据实施例，该检测电路包括传导该偏置电流的电阻元件，该检测电路能够检测该电阻元件两端的电压。

根据实施例，该电阻元件具有在1到100Ω范围内的电阻。

根据实施例，该安全电子芯片包括能够提供用于偏置所述阱的电势的电源电路，该检测电路能够对调节偏置电势的电势的变化进行检测。

根据实施例，该电源电路包括其输出耦合至第一MOS晶体管的栅极的运算放大器，且该检测电路包括与第一MOS晶体管构成电流镜的第二MOS晶体管，该运算放大器的输入和该第一MOS晶体管的漏极耦合至所述阱，该检测电路能够检测第二晶体管中电流的变动。

根据实施例，该多个阱包括具有第一导电类型的第一阱和具有第二导电类型的第二阱，该检测电路一方面包括检测第一阱的偏置电流的第一电路，另一方面包括检测第二阱的偏置电流的第二电路。

根据实施例，第一阱形成在第二导电类型的半导体衬底的上部中，第二阱为包括在第一阱之间的衬底的上部。

根据实施例，第一阱和第二阱在覆盖第二导电类型的衬底的第一导电类型的掺杂掩埋层上延伸。

另一实施例提供一种保护包括多个偏置半导体阱的电子芯片的方法，包括检测阱偏置电流的步骤。

根据实施例，该芯片包含机密数据，该方法包括，在检测到的偏置电流大于阈值时，销毁该机密数据的步骤。

根据实施例，该方法包括，在检测到的偏置电流大于阈值时，停止芯片的活动的步骤。

结合附图，将在下述特定实施方式的非限制性描述中，详细描述前述和其它特征和优点。

附图说明

图1是第一类型的电子芯片的简化局部截面图；

图2是第二类型的电子芯片的简化局部截面图；

图3示出了防攻击的第一类型的电子芯片的实施例；

图4示出了防攻击的第二类型的电子芯片的实施例；以及

图5A和图5B详细描述了电源和检测电路的实施例。

具体实施方式

在不同的附图中，相同的元件被指定了相同的附图标记，并且，进一步的，各个附图不依比例绘制。为了清楚起见，仅示出和详细描述了对理解所述实施例有用的元件。