[发明专利]安全电子芯片

权利要求书

1.一种安全电子芯片，包括：

多个半导体阱，位于半导体衬底中，其中所述多个半导体阱包括第一导电类型的第一阱和第二导电类型的第二阱；

多个晶体管，分别形成在所述第一阱和所述第二阱中；

阱偏置电流检测电路，被配置为检测所述多个半导体阱中的至少一个的偏置电流；以及

电源电路，被配置为提供偏置所述多个半导体阱的偏置电势，所述阱偏置电流检测电路被配置为检测调节所述偏置电势的电势的变化。

2.根据权利要求1所述的电子芯片，其中所述阱偏置电流检测电路被配置为用于在偏置电流的绝对值大于阈值时产生报警信号。

3.根据权利要求1所述的电子芯片，其中所述阱偏置电流检测电路包括传导偏置电流的电阻元件，所述阱偏置电流检测电路被配置为用于检测所述电阻元件两端的电压。

4.根据权利要求3所述的电子芯片，其中所述电阻元件具有在1到100Ω范围内的电阻。

5.根据权利要求1所述的电子芯片，其中所述电源电路包括输出耦合至第一MOS晶体管的栅极的运算放大器，以及其中所述阱偏置电流检测电路包括与所述第一MOS晶体管构成电流镜的第二MOS晶体管，所述运算放大器的输入和所述第一MOS晶体管的漏极耦合至所述阱，并且所述阱偏置电流检测电路被配置为用于检测所述第二MOS 晶体管中电流的变化。

6.根据权利要求1所述的电子芯片，其中所述阱偏置电流检测电路一方面包括检测所述第一阱的偏置电流的第一电路，另一方面包括检测所述第二阱的偏置电流的第二电路。

7.根据权利要求6所述的电子芯片，其中所述第一阱形成在第二导电类型的半导体衬底的上部中，所述第二阱为包括在所述第一阱之间的所述衬底的上部。

8.根据权利要求6所述的电子芯片，其中所述第一阱和所述第二阱在覆盖所述第二导电类型的衬底的所述第一导电类型的掺杂掩埋层上延伸。

9.一种保护包括位于半导体衬底中的多个半导体阱的电子芯片的方法，包括检测阱偏置电流的步骤，

其中所述多个半导体阱包括第一导电类型的第一阱和第二导电类型的第二阱，并且所述电子芯片还包括：

多个晶体管，分别形成在所述第一阱和所述第二阱中；

阱偏置电流检测电路，被配置为检测所述多个半导体阱中的偏置电流；以及

电源电路，被配置为提供偏置所述多个半导体阱的偏置电势，所述阱偏置电流检测电路被配置为检测调节所述偏置电势的电势的变化。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述芯片含有机密数据，所述方法包括，在检测到的偏置电流大于阈值时，销毁所述机密数据的步骤。

11.根据权利要求9所述的方法，包括，当检测到的偏置电流大于阈值时，停止芯片的活动的步骤。