[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底的表面上形成有第一介电层，在所述第一介电层上形成图案化的掩膜层；

以所述图案化的掩膜层为掩膜，依次蚀刻所述第一介电层和部分所述半导体衬底，以形成位于所述半导体衬底中的深沟槽；

在所述深沟槽的底部和侧壁上形成第二介电层；

形成第二介电层之后，沉积形成第一多晶硅层填充所述深沟槽，并溢出到所述掩膜层的表面上；

进行第一回蚀刻以蚀刻去除部分所述第一多晶硅层，其中，剩余的所述第一多晶硅层的顶面高于所述第一介电层的顶面，并低于所述掩膜层的顶面；

去除所述掩膜层之后，进行第二回蚀刻以蚀刻去除部分所述第一多晶硅层，使剩余的所述第一多晶硅层的顶面低于所述第一介电层的顶面；

进行第二回蚀刻之后，在所述第一多晶硅层的顶面上和所述第一介电层的顶面上形成顶极板材料层；

图案化所述顶极板材料层和所述第一介电层，以形成深沟槽电容的顶极板，其中，所述顶极板位于所述第一多晶硅层上且还延伸至第一多晶硅层侧部的部分半导体衬底上，第一多晶硅层和半导体衬底表面之间具有第一介电层。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成所述第一介电层之前，在所述深沟槽的一侧的所述半导体衬底中还形成有浅沟槽隔离结构。

3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构位于所述深沟槽电容的顶极板的一侧。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一介电层包括自下而上层叠的氧化物层和氮化物层。

5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二介电层包括依次形成的氧化物层和氮化物层。

6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述氧化物层为原位水蒸气氧化形成的氧化硅。

7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述掩膜层为硬掩膜材料。

8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述硬掩膜材料为氧化硅。

9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述顶极板材料层的材料为多晶硅。

10.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成所述顶极板之后，还包括形成与作为所述深沟槽电容的底极板的部分所述半导体衬底相电连接的导电插塞，以及与所述导电插塞电连接的互连金属层的步骤。