[发明专利]一种晶圆升降机构在审
申请号: | 201610347744.X | 申请日: | 2016-05-24 |
公开(公告)号: | CN107424952A | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
发明(设计)人: | 王冬 | 申请(专利权)人: | 沈阳芯源微电子设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司21002 | 代理人: | 白振宇 |
地址: | 110168 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 升降 机构 | ||
技术领域
本发明涉及半导体领域中用于晶圆传送过程的装置,具体地说是一种晶圆升降机构。
背景技术
随着半导体工艺技术的发展,工艺过程中对晶圆上胶膜的均匀性与胶膜厚度,以及显影程度的要求越来越高。而影响工艺质量的主要原因之一就是在旋转过程中产生振动,消除机台旋转过程中的振动将有效的提高工艺质量。同时,半导体制造设备对工作空间利用率有着较高的要求。
发明内容
为了有效消除机台旋转过程中的振动、提高晶圆上胶膜的工艺质量,本发明的目的在于提供一种晶圆升降机构。该晶圆升降机构提高了晶圆上胶膜的均匀性以及胶膜厚度,同时,提高设备工作空间的利用率。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的:
本发明包括底板、中空轴电机及承片台,其中中空轴电机安装在底板上,输出端连接有位于底板上方的所述承片台,该承片台通过所述中空轴电机驱动旋转;所述承片台外侧设有安装在底板上的接液盘,所述底板上安装有气缸,该气缸的输出端连接有顶针固定架,所述接液盘的内部、且位于所述承片台的外围沿圆周方向均布有多个顶针,各所述顶针的一端位于接液盘的上方,另一端依次穿过接液盘、底板,并安装在所述顶针固定架上,通过所述气缸驱动升降。
其中:各所述顶针的顶端均安装有顶针帽,底端通过顶针压块与所述顶针固定架固接;所述顶针固定架为圆环状,外表面沿圆周方向均布有多个容置顶针压块的凹槽,每个所述凹槽内均开有与顶针压块固接的螺栓孔;各所述顶针的顶端处于同一水平面;所述接液盘为圆盘状,其底面沿圆周方向均匀设有多个接液盘支杆,所述接液盘通过各接液盘支杆安装在底板上;所述气缸上安装有用于控制气缸升降速度的调速阀;所述气缸通过气缸固定板固定在底板的下方,输出端连接有气缸连接板,所述顶针固定架与该气缸连接板固接。
本发明的优点与积极效果为:
在工艺要求较高的情况下,使用本发明的晶圆升降机构,减小晶圆在旋转过程中振动,提高工艺质量。同时,顶针的升降有着相对较小的结构尺寸,提高了设备工作空间的利用率,有利于单元与整机的结构优化。
附图说明
图1为本发明的轴测视图;
图2为本发明的结构俯视图;
图3为图1中去掉底板、中空轴电机、接液盘支杆、接液盘及承片台后的轴测视图;
其中:1为底板,2为中空轴电机,3为接液盘支杆,4为接液盘,5为顶针,6为顶针帽,7为承片台,8为气缸固定板,9为气缸,10为调速阀,11为气缸连接板,12为顶针固定架,13为顶针压块。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步详述。
如图1~3所示,本发明包括底板1、中空轴电机2、接液盘4、顶针5、承片台7、气缸9及调速阀10,其中中空轴电机2安装在底板1上,输出端连接有位于底板1上方的承片台7,该承片台7通过中空轴电机2驱动旋转。在中空轴电机2的一侧设有气缸9,该气缸9通过气缸固定板8固定在底板1的下方,气缸9的输出端连接有气缸连接板11,在该气缸连接板11上固接有顶针固定架12。气缸9上安装有用于控制气缸9升降速度的调速阀10。
在承片台7的外侧设有安装在底板1上的接液盘4,接液盘4为圆盘状,其底面沿圆周方向均匀设有多个接液盘支杆3,接液盘4通过各接液盘支杆3安装在底板1上;接液盘4主要目的是防止晶圆工艺过程中有液体流到中空轴电机2中。在接液盘4的内部、且位于承片台7的外围沿圆周方向均布有多个顶针5,顶针5至少为三个(本实施例的顶针5为三个)、分布在承片台7的周围。各顶针5的顶端位于接液盘4的上方、且均安装有顶针帽6,该顶针帽6可为耐腐蚀的塑料帽,防止划伤晶圆表面;各顶针5的底端依次穿过接液盘4、底板,且均设有顶针压块13,顶针固定架12为圆环状,外表面沿圆周方向均布有多个容置顶针压块13的凹槽,每个凹槽内均开有与顶针压块13固接的螺栓孔,每个顶针5底端的顶针压块13上相应地也开有螺栓孔,各顶针5通过各自的顶针压块13与顶针固定架12固接,在安装过程中须保证各顶针5的顶端应处于同一水平面,防止晶圆在升降过程中发生倾斜;通过气缸9驱动顶针固定架12,进而带动各顶针5升降。
本发明的工作原理为:
本发明中晶圆升降是通过顶针升降方式来实现的,电机完全固定于底板上,晶圆通过承片台周围的顶针完成晶圆与承片台的接触与分离动作,从而完成机械手与承片台之间的晶圆传送过程。具体工作如下:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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