[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置

说明书

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法和电子装置。所述方法包括：提供晶圆，所述晶圆具有第一表面和与之相对的第二表面，在所述第一表面上形成有前端器件，在所述第二表面上形成具有若干第一开口的第一掩膜层，其中所述晶圆的第二表面从所述晶圆的中心由内向外至少划分为第一区域和第二区域；在所述第一掩膜层上以及所述第二表面上形成第二掩膜层；图案化所述第二掩膜层，以露出所述第二区域中的所述第一开口；以露出的所述第一开口为掩膜蚀刻所述晶圆，以在第二区域中形成若干凹槽；去除剩余的所述第二掩膜层；以所述第一区域中的所述第一开口为掩膜原位蚀刻所述晶圆，以在所述第一区域和所述第二区域中形成深度一致的图案。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体器件及其制造方法和电子装置。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，集成电路性能的提高主要是通过不断缩小集成电路器件的尺寸以提高它的速度来实现的。目前，由于在追求高器件密度、高性能和低成本中半导体工业已经进步到纳米技术工艺节点，给制造和设计等诸多方面带来很大挑战，器件的稳定性以及良率成为衡量半导体器件性能的一个重要因素。

在传感器(sensor)类产品的市场上，智能手机、集成CMOS和微机电系统(MEMS)器件日益成为最主流、最先进的技术，并且随着技术的更新，这类传动传感器产品的发展方向是规模更小的尺寸，高质量的电学性能和更低的损耗。

在MEMS领域中，有一部分产品需要正反面做工艺，因此背面蚀刻(Silicon Etch)的深度和均匀度直接影响到正面器件的性能。

目前工艺中背面衬底蚀刻(Silicon Etch)深度的一致性不好，导致影响到正面的器件。

因此，为解决目前工艺中的上述技术问题，有必要提出一种新的半导体器件及其制造方法和电子装置。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为了克服目前存在的问题，本发明实施例提供了一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：

提供晶圆，所述晶圆具有第一表面和与之相对的第二表面，在所述第一表面上形成有前端器件，在所述第二表面上形成具有若干第一开口的第一掩膜层，其中所述晶圆的第二表面从所述晶圆的中心由内向外至少划分为第一区域和第二区域；

在所述第一掩膜层上以及所述第二表面上形成第二掩膜层；

图案化所述第二掩膜层，以在所述第二掩膜层中形成第二开口，以露出所述第二区域中的所述第一开口；

以露出的所述第一开口为掩膜蚀刻所述晶圆，以在第二区域中形成若干凹槽；

去除剩余的所述第二掩膜层，以露出所述第一区域中的所述第一开口；

以所述第一区域中的所述第一开口为掩膜原位蚀刻所述晶圆，同时继续蚀刻所述第二区域中的所述凹槽，以在所述第一区域和所述第二区域中形成深度一致的图案。

可选地，所述晶圆的第二表面从所述晶圆的中心由内向外至少划分为第一区域、第二区域和第三区域；

图案化所述第二掩膜层，以在所述第二掩膜层中形成第三开口，以露出所述第三区域中的所述第一开口；

以所述第三区域中的所述第一开口为掩膜蚀刻所述晶圆，以在第三区域中形成若干凹槽；

蚀刻所述第二掩膜层，以去除所述第二区域上方的所述第二掩膜层，以露出所述第二区域中的所述第一开口；