[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供晶圆，所述晶圆具有第一表面和与之相对的第二表面，在所述第一表面上形成有前端器件，在所述第二表面上形成具有若干第一开口的第一掩膜层，其中所述晶圆的第二表面从所述晶圆的中心由内向外至少划分为第一区域和第二区域；

在所述第一掩膜层上以及所述第二表面上形成第二掩膜层；

图案化所述第二掩膜层，以在所述第二掩膜层中形成第二开口，以露出所述第二区域中的所述第一开口；

以露出的所述第一开口为掩膜蚀刻所述晶圆，以在第二区域中形成若干凹槽；

去除剩余的所述第二掩膜层，以露出所述第一区域中的所述第一开口；

以所述第一区域中的所述第一开口为掩膜原位蚀刻所述晶圆，同时继续蚀刻所述第二区域中的所述凹槽，以在所述第一区域和所述第二区域中形成深度一致的图案。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶圆的第二表面从所述晶圆的中心由内向外至少划分为第一区域、第二区域和第三区域；

图案化所述第二掩膜层，以在所述第二掩膜层中形成第三开口，以露出所述第三区域中的所述第一开口；

以所述第三区域中的所述第一开口为掩膜蚀刻所述晶圆，以在第三区域中形成若干凹槽；

蚀刻所述第二掩膜层，以去除所述第二区域上方的所述第二掩膜层，以露出所述第二区域中的所述第一开口；

以所述第二区域中的所述第一开口为掩膜原位蚀刻所述晶圆，以在所述第二区域中形成凹槽，同时继续原位蚀刻所述第三区域中的凹槽；

去除剩余的所述第二掩膜层，以露出所述第一区域中的所述第一开口；

以所述第一区域中的所述第一开口为掩膜原位蚀刻所述晶圆，同时继续蚀刻所述第二区域中的所述凹槽和所述第三区域中的所述凹槽，以在所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域中形成深度一致的图案。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，蚀刻所述第二掩膜层和蚀刻所述晶圆的步骤均在同一蚀刻腔室进行。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一掩膜层包括硬掩膜层；

所述第二掩膜层包括光刻胶层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，对所述光刻胶层进行曝光显影，以露出位于所述晶圆中心外侧区域中的所述第一开口，蚀刻所述晶圆，然后在蚀刻腔室中直接灰化，在所述蚀刻腔室中继续蚀刻所述晶圆，以在所述晶圆中形成深度一致的图案。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一掩膜层选用与所述晶圆具有蚀刻选择性的氮化物或氧化物。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一掩膜层选用与所述晶圆具有蚀刻选择性的氮化物或氧化物。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一掩膜层的厚度为50～5000埃。

9.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一掩膜层的厚度为50～5000埃。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括去除所述第一掩膜层的步骤。

11.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件通过权利要求1至10之一所述方法制备得到。

12.一种电子装置，其特征在于，包括权利要求11所述的半导体器件。