[发明专利]一种图案对、TFT及其制作方法、掩膜版

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种图案对、TFT及其制作 方法、掩膜版。

背景技术

TFT-LCD(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，薄膜晶体 管-液晶显示器)作为一种平板显示装置，因其具有体积小、功耗低、 无辐射以及制作成本相对较低等特点，而越来越多地被应用于高性能 显示领域当中。

TFT-LCD通常包括对盒设置的彩膜基板和阵列基板，阵列基板 上形成有多个薄膜层图案，例如在布线区域设置有多条平行的如图1 所示的数据引线100。然而，随着高PPI(PixelsPerInch，像素数目) 以及窄边框的设计要求，布线区域的面积随之减小，因此需要进一步 减小相邻两条数据引线100之间的距离d，由于该距离d与曝光机的 分辨率成反比，因此为了减小上述距离d，需要提高曝光机的分辨率， 这样一来导致生产升本的上升。

发明内容

本发明的实施例提供一种图案对、TFT及其制作方法、掩膜版， 能够在不提高曝光机分辨率的情况下，相邻两个薄膜图案之间的距 离。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明实施例的一方面，提供一种图案对，包括第一条状图案和 第二条状图案，所述第一条状图案与所述第二条状图案之间的最大距 离小于预设分辨率的125％；其中，所述预设分辨率为用于制作所述 图案对所采用的曝光机的分辨率。

优选的，所述第一条状图案与第二条状图案之间的最大距离小于 或等于预设分辨率；所述预设分辨率为4μm。

本发明实施例的另一方面，提供一种TFT，所述TFT的源极和 漏极构成如上所述的任意一种图案对；其中，所述源极为第一条状图 案，所述漏极为第二条状图案。

优选的，所述源极和所述漏极相对的两条边中的至少一条边为曲 折边。

优选的，所述源极和所述漏极相对的两条边均为曲折边；所述源 极的曲折边上的凸出部与所述漏极的曲折边上的凸出部对称设置。

优选的，所述源极和所述漏极相对的两条边均为曲折边；所述源 极的曲折边上的凸出部与所述漏极的曲折边上的凸出部交错设置。

优选的，所述源极的曲折边上的凸出部与所述漏极的曲折边上的 凸出部为三角形、梯形或者矩形。

本发明实施例的又一方面，提供一种用于制作上述任意一种TFT 的方法，包括：在衬底基板上形成金属层；对所述金属层进行掩膜曝 光刻蚀，形成所述TFT的源极和漏极，所述源极和漏极之间的最大 距离小于预设分辨率的125％；其中，所述预设分辨率为所述对所述 金属层进行掩膜曝光刻蚀形成图案对的步骤中采用的曝光机的分辨 率。

本发明实施例的再一方面，提供一种用于制作如上所述的任意一 种TFT所采用的掩膜版，所述掩膜版包括遮光区和曝光区，所述曝 光区内设置有二次遮光部；相邻遮光区之间的最大距离小于预设分辨 率的125％。

优选的，相邻遮光区之间的最大距离小于或等于预设分辨率；所 述预设分辨率为4μm。

优选的，所述二次遮光部包括设置于所述曝光区一条边上的第一 子遮光部，以及设置于所述曝光区另一条边上的第二子遮光部。

优选的，所述第一子遮光部与所述第二子遮光部相对设置，且相 对的所述第一子遮光部与所述第二子遮光部之间具有间隙。

优选的，所述第一子遮光部与所述第二子遮光部均为等腰三角 形，所述等腰三角形的腰为1.5μm；相对的所述第一子遮光部与所 述第二子遮光部之间的间隙为1μm。

优选的，所述第一子遮光部与所述第二子遮光部交错设置，且相 邻的所述第一子遮光部与所述第二子遮光部之间具有间隙。

优选的，所述第一子遮光部与所述第二子遮光部均为边长为1.5 的正方形；相邻两个所述第一子遮光部或相邻两个所述第二子遮光部 之间的间距为3μm；相邻的所述第一子遮光部与所述第二子遮光部 之间的间隙1μm。

优选的，位于同一个曝光区内的二次遮光部的面积占所述曝光区 的面积的37％～38％。