[发明专利]一种图案对、TFT及其制作方法、掩膜版

权利要求书

1.一种图案对，其特征在于，包括第一条状图案和第二条状图案， 所述第一条状图案与所述第二条状图案之间的最大距离小于预设分辨 率的125％；

其中，所述预设分辨率为用于制作所述图案对所采用的曝光机的 分辨率。

2.根据权利要求1所述的图案对，其特征在于，所述第一条状图 案与第二条状图案之间的最大距离小于或等于预设分辨率；所述预设 分辨率为4μm。

3.一种TFT，其特征在于，所述TFT的源极和漏极构成如权利要 求1或2所述的图案对；

其中，所述源极为第一条状图案，所述漏极为第二条状图案。

4.根据权利要求3所述的TFT，其特征在于，所述源极和所述漏 极相对的两条边中的至少一条边为曲折边。

5.根据权利要求4所述的TFT，其特征在于，所述源极和所述漏 极相对的两条边均为曲折边；

所述源极的曲折边上的凸出部与所述漏极的曲折边上的凸出部对 称设置。

6.根据权利要求4所述的TFT，其特征在于，所述源极和所述漏 极相对的两条边均为曲折边；

所述源极的曲折边上的凸出部与所述漏极的曲折边上的凸出部交 错设置。

7.根据权利要求5或6所述的TFT，其特征在于，所述源极的曲 折边上的凸出部与所述漏极的曲折边上的凸出部为三角形、梯形或者 矩形。

8.一种用于制作如权利要求3-7任一项所述的TFT的方法，其特 征在于，包括：

在衬底基板上形成金属层；

对所述金属层进行掩膜曝光刻蚀，形成所述TFT的源极和漏极， 所述源极和漏极之间的最大距离小于预设分辨率的125％；

其中，所述预设分辨率为所述对所述金属层进行掩膜曝光刻蚀形 成图案对的步骤中采用的曝光机的分辨率。

9.一种用于制作如权利要求3-7任一项所述的TFT所采用的掩膜 版，所述掩膜版包括遮光区和曝光区，其特征在于，所述曝光区内设 置有二次遮光部；相邻遮光区之间的最大距离小于预设分辨率的 125％。

10.根据权利要求9所述的掩膜版，其特征在于，相邻遮光区之 间的最大距离小于或等于预设分辨率；所述预设分辨率为4μm。

11.根据权利要求9所述的掩膜版，其特征在于，所述二次遮光 部包括设置于所述曝光区一条边上的第一子遮光部，以及设置于所述 曝光区另一条边上的第二子遮光部。

12.根据权利要求11所述的掩膜版，其特征在于，所述第一子遮 光部与所述第二子遮光部相对设置，且相对的所述第一子遮光部与所 述第二子遮光部之间具有间隙。

13.根据权利要求12所述的掩膜版，其特征在于，所述第一子遮 光部与所述第二子遮光部均为等腰三角形，所述等腰三角形的腰为1.5 μm；相对的所述第一子遮光部与所述第二子遮光部之间的间隙为1μ m。

14.根据权利要求11所述的掩膜版，其特征在于，所述第一子遮 光部与所述第二子遮光部交错设置，且相邻的所述第一子遮光部与所 述第二子遮光部之间具有间隙。

15.根据权利要求14所述的掩膜版，其特征在于，所述第一子遮 光部与所述第二子遮光部均为边长为1.5的正方形；

相邻两个所述第一子遮光部或相邻两个所述第二子遮光部之间的 间距为3μm；

相邻的所述第一子遮光部与所述第二子遮光部之间的间隙1μm。

16.根据权利要求9-15任一项所述的掩膜版，其特征在于，位于 同一个曝光区内的二次遮光部的面积占所述曝光区的面积的 37％～38％。