[发明专利]一种金属掩膜制备方法有效
申请号: | 201610339907.X | 申请日: | 2016-05-20 |
公开(公告)号: | CN107414306B | 公开(公告)日: | 2019-07-23 |
发明(设计)人: | 高志豪 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;B23K26/36;B23K26/60 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201506 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 金属 制备 方法 | ||
本发明涉及掩膜板制造领域,尤其涉及一种金属掩膜制备方法,通过激光加工图形方式取代传统的黄光与蚀刻工艺,即以皮秒级激光加工开口区,通过单面加工方式来避免传统双面加工生产方式所产生的累计误差,进而使得加工精度远远高于传统生产流程中采用曝光/显影/蚀刻的累计精度;并可通过调整激光入射角来满足金属掩膜所需的蒸镀角度需求;同时还避免了高额设备投资与厂区建设费用。
技术领域
本发明涉及掩膜板制造领域,尤其涉及一种金属掩膜制备方法。
背景技术
有机发光二极管显示器以其轻薄、主动发光、快响应速度、广视角、色彩丰富及高亮度、低功耗、耐高低温等众多优点而被业界公认为是继液晶显示器之后的新一代显示技术,可以广泛用于智能手机、平板电脑、电视等终端产品。现有成熟的有机发光二极管显示器制备技术是采用金属掩模板蒸镀有机发光材料来制备彩色化像素图案。
现有工艺生产金属掩膜板(蚀刻型金属掩膜)时,对同一块金属卷材进行AB两面的黄光工艺以将图形刻至金属卷材上形成金属掩膜。这种金属掩膜的制备方式受限于蚀刻工艺能力,于高分辨率(超高清以上)的产品生产时,具有结构强度以及开口变异性与位置精度过大造成生产良品率过低的问题,且需要投资黄光工艺与蚀刻工艺的相关设备,生产成本过大。
发明内容
鉴于上述技术问题,本发明使用激光开口方式取代黄光与蚀刻工艺,以皮秒级激光加工开口区,可避免热影响区域,激光入射角可控制金属掩膜所需的蒸镀角度需求。
本发明解决上述技术问题的主要技术方案为:
提供一种金属掩膜制备方法,其特征在于,包括:
提供一具有操作面的金属基材;
于所述金属基材的操作面上定义出定位标记;
基于所述定位标记,采用激光对所述金属基材进行图形加工工艺,以制备所述金属掩膜。
优选的,上述的金属掩膜制备方法中,采用激光对所述金属基材进行图形加工工艺的步骤包括:
以所述定位标记为参照坐标,将所述金属基材上待加工的需求图形的开口坐标存入激光加工设备中;
计算所述金属基材经所述激光加工后产生的变形量,将所述变形量补偿给所述需求图形的开口坐标,以在所述激光加工设备中生成实际加工点;
所述激光加工设备采用激光照射所述操作面上所述实际加工点所对应位置,以在所述金属基材上形成通孔图形;
其中,所述通孔图形的开口位置与所述需求图形的开口坐标相吻合。
优选的,上述的金属掩膜制备方法中,所述变形量为所述金属基材经所述激光加工后产生的内缩值。
优选的,上述的金属掩膜制备方法中,利用感光耦合元件于所述金属基材的操作面上定义出定位标记。
优选的,上述的金属掩膜制备方法中,所述激光的脉冲宽度为皮秒级。
优选的,上述的金属掩膜制备方法中,所述金属基材为一金属薄片。
优选的,上述的金属掩膜制备方法还包括:
定义出所述定位标记之前,提供一基板;
对所述金属基材进行第一前处理操作后,将所述金属基材固定于所述基板上并切除所述金属基材超出所述基板的多余部分;
继续于所述金属基材的操作面上定义出定位标记,以继续制备所述金属掩膜,并对所述金属掩膜进行第一后处理操作。
优选的,上述的金属掩膜制备方法中,采用涂料或焊接方式将所述金属基材固定于所述基板上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海和辉光电有限公司,未经上海和辉光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610339907.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:超声辅助激光焊接异种材料
- 下一篇:一种采用激光进行视窗加工的方法
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备