[发明专利]一种金属掩膜制备方法

权利要求书

1.一种金属掩膜制备方法，其特征在于，包括：

提供一具有操作面的金属基材；

于所述金属基材的操作面上定义出定位标记；

基于所述定位标记，采用激光对所述金属基材进行图形加工工艺，以制备所述金属掩膜；

采用激光对所述金属基材进行图形加工工艺的步骤包括：

以所述定位标记为参照坐标，将所述金属基材上待加工的需求图形的开口坐标存入激光加工设备中；

计算所述金属基材经所述激光加工后产生的变形量，将所述变形量补偿给所述需求图形的开口坐标，以在所述激光加工设备中生成实际加工点；

所述激光加工设备采用激光照射所述操作面上所述实际加工点所对应位置，以在所述金属基材上形成通孔图形；

其中，所述通孔图形的开口位置与所述需求图形的开口坐标相吻合。

2.如权利要求1所述的金属掩膜制备方法，其特征在于，所述变形量为所述金属基材经所述激光加工后产生的内缩值。

3.如权利要求1所述的金属掩膜制备方法，其特征在于，利用感光耦合元件于所述金属基材的操作面上定义出定位标记。

4.如权利要求1所述的金属掩膜制备方法，其特征在于，所述激光的脉冲宽度为皮秒级。

5.如权利要求1所述的金属掩膜制备方法，其特征在于，所述金属基材为一金属薄片。

6.如权利要求5所述的金属掩膜制备方法，其特征在于，所述金属掩膜制备方法还包括：

定义出所述定位标记之前，提供一基板；

对所述金属基材进行第一前处理操作后，将所述金属基材固定于所述基板上并切除所述金属基材超出所述基板的多余部分；

继续于所述金属基材的操作面上定义出定位标记，以继续制备所述金属掩膜，并对所述金属掩膜进行第一后处理操作。

7.如权利要求6所述的金属掩膜制备方法，其特征在于，采用涂料或焊接方式将所述金属基材固定于所述基板上。

8.如权利要求6所述的金属掩膜制备方法，其特征在于，所述第一前处理操作包括湿式清洗，所述第一后处理操作包括超声波清洗。

9.如权利要求1所述的金属掩膜制备方法，其特征在于，所述金属基材为一金属卷材。

10.如权利要求9所述的金属掩膜制备方法，其特征在于，所述金属掩膜制备方法还包括：

定义出所述定位标记之前，对所述金属卷材进行第二前处理操作，并将所述金属卷材放置于真空吸附平台以拉直所述金属卷材；

继续于所述金属卷材上进行所述图形加工工艺后，对所述金属卷材进行第二后处理操作；

对经所述图形加工工艺的金属卷材部分进行切割工艺；以及

提供一基板，将切割下的所述金属卷材部分固定于所述基板上。

11.如权利要求10所述的金属掩膜制备方法，其特征在于，采用激光消融点连点的方式进行所述切割工艺。

12.如权利要求10所述的金属掩膜制备方法，其特征在于，所述第二前处理操作包括湿式清洗，所述第二后处理操作包括超声波清洗。

13.如权利要求10所述的金属掩膜制备方法，其特征在于，采用涂料或焊接方式将切割下的所述金属卷材部分固定于所述基板上。