[发明专利]一种用于生长单一晶向氧化锌的预处理方法有效
申请号: | 201610338812.6 | 申请日: | 2016-05-19 |
公开(公告)号: | CN107400920B | 公开(公告)日: | 2019-10-29 |
发明(设计)人: | 张思敏;夏洋;卢维尔;程嵩;李楠 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | C30B25/00 | 分类号: | C30B25/00;C30B29/16 |
代理公司: | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人: | 房德权 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 生长 单一 氧化锌 预处理 方法 | ||
1.一种用于生长单一晶向氧化锌的预处理方法,其特征在于,所述方法包括:
将清洗好的衬底放入反应腔室中;
开启罗茨泵和前级泵,并在抽真空的同时对样品盘、载气通道和腔室壁进行加热,在加热的过程中吹载气;
当所述腔室壁的温度达到第一预定温度时,关闭载气,并开启分子泵;
当所述腔室壁的温度达到第二预定温度时,关闭所述分子泵,并打开载气;其中,所述第二预定温度高于所述第一预定温度;
当所述样品盘温度在第一温度范围内变化,且,所述载气通道和所述腔室壁的温度在第二温度范围内变化时,开始后续沉积工艺;
所述并在抽真空的同时对样品盘、载气通道和腔室壁进行加热,还包括:
设定所述样品盘加热目标温度为第一目标温度;
设定所述腔室壁加热目标温度为第二目标温度;
第一预定温度小于第二目标温度,且第二目标温度减去第一预定温度的差值在10-20℃;
第二预定温度等于所述第二目标温度;
所述第一温度范围为所述第一目标温度*(1±1.5%);
所述第二温度范围为所述第二目标温度*(1±0.3%)。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述将清洗好的衬底放入反应腔室中之前,所述方法还包括:
采用蓝宝石清洗步骤对所述衬底进行清洗。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述采用蓝宝石清洗步骤对所述衬底进行清洗,还包括:
将衬底置入丙酮中超声第一预定时间,取出后气体吹干;
将衬底置入异丙醇溶液超声第二预定时间,取出后气体吹干;
将衬底置入去离子水中超声第三预定时间,取出后气体吹干。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
分子泵抽本底真空过程中,所述罗茨泵和所述前级泵保持开启状态,且所述真空度在10-8Pa以内。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
在分子泵关闭后,保持罗茨泵和前级泵开启状态。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
在分子泵关闭,打开载气后,在载气流动的情况下抽真空和加热腔室壁、载气通道和样品盘。
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