[发明专利]一种薄膜晶体管的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管的制作方法。

背景技术

低温多晶硅面板制作技术是新一代薄膜晶体管液晶显示器制造技术，所谓低温多晶硅技术主要是通过镭射退火制程将a-Si的薄膜转变为多晶硅薄膜层，多晶硅薄膜层用于形成驱动液晶显示面板的数据线和扫描线的薄膜晶体管，多晶硅的薄膜晶体管的电子移动速度为同类非晶硅元件的百倍，因此可实现液晶显示面板的快速画面反应、高亮度显示和高解析度等特点。

如图1A至图1F所示，为现有技术的薄膜晶体管的制作方法的工艺流程图；

如图1A所示，首先在半导体衬底102上形成第一光阻图案101，接着，以所述第一光阻图案101作为掩膜对所述半导体衬底102进行第一次离子植入步骤，如图1B所示，第一光阻图案101的覆盖区域离子无法植入，进而形成预备源极区域104和预备漏极区域103。

然后，如图1C所示，去除第一光阻图案101，在所述半导体衬底102上依序沉积栅绝缘层105和栅金属层106，并在所述栅金属层106上形成第二光阻图案107。

接下来，如图1D所示，对所述栅金属层106进行蚀刻，具体地，未被第一光阻图案遮挡的所述栅极金属层106部分被蚀刻掉，随着蚀刻时间的加长，所述栅极金属层106的侧壁也逐渐被蚀刻掉一小部分，形成新的栅极金属层106a。接着，如图1E所示，去除所述第二光阻图案107。

最后，如图1F所示，对所述半导体衬底102进行第二次离子植入步骤，进而形成源/漏极，其中所述源/漏极包括一重掺杂漏极区103及104和一轻掺杂漏极区109及108。

上述薄膜晶体管的制作方法，通过形成两个光阻图案，进而形成轻掺杂漏极区，制备过程较复杂，从而致使生产周期长，不利于生产。因此，有必要提供一种薄膜晶体管的制作方法，使得工艺制备过程简化，并且对植入的离子均一性影响较小，进而不会影响重掺杂漏极区和轻掺杂漏极区的电子迁移率。

发明内容

本发明提供一种薄膜晶体管的制作方法，可以有效的解决现有的薄膜晶体管制作方法中工艺制备过程复杂，生产周期长，并且对离子均一性影响较大，进而影响重掺杂漏极区和轻掺杂漏极区的电子迁移率的技术问题。

为了解决上述技术问题，本发明提供的薄膜晶体管的制作方法，包括：

在一半导体衬底上依序沉积栅绝缘层和栅金属层；

形成第一光阻图案于所述栅金属层上，蚀刻未被所述第一光阻图案遮盖住的所述栅金属层，以形成栅电极，其中，所述栅电极的宽度小于所述第一光阻图案的宽度；

以所述第一光阻图案作为掩膜，对所述半导体衬底进行第一次离子植入，以形成预备源/漏极；

对所述第一光阻图案的侧壁进行蚀刻，以形成第二光阻图案，其中，所述第二光阻图案的宽度小于所述第一光阻图案的宽度；

以所述第二光阻图案作为掩膜，对所述半导体衬底进行第二次离子植入，以形成源/漏极，其中所述源/漏极包括一重掺杂漏极区和一轻掺杂漏极区。

形成第一光阻图案于所述栅金属层上，包括：在所述栅金属层上涂覆光刻胶，利用掩膜板对所述光刻胶进行曝光，显影后形成第一光阻图案。

蚀刻未被所述第一光阻图案遮盖住的所述栅金属层，包括：对所述栅金属层进行第一次蚀刻，形成初步栅电极；对所述初步栅电极进行第二次蚀刻，形成栅电极。

所述第一次蚀刻的速率大于所述第二次蚀刻的速率。

所述第一次蚀刻使用氟化硫和氧气。

所述第二次蚀刻使用氯气和氧气。

使用氧气对所述第一光阻图案进行蚀刻。

所述轻掺杂漏极区的宽度和所述第二光阻图案与所述栅电极的宽度之中的较小值相等。

所述栅绝缘层采用氮化硅层或者氧化硅层，或者氮化硅层和氧化硅层的混合。

所述氮化硅层在所述氧化硅层上面。

本发明提供的薄膜晶体管的制作方法，通过形成一个光阻图案，进而形成轻掺杂漏极区，简化了工艺制备过程，从而缩短了生产周期，并且通过对所述光阻图案的侧壁进行蚀刻，避免对栅金属层进行二次蚀刻，从而对植入的离子均一性影响较小，进而不会对重掺杂漏极区和轻掺杂漏极区的电子迁移率造成影响。

附图说明

为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。