[发明专利]一种薄膜晶体管的制作方法在审
| 申请号： | 201610325163.6 | 申请日： | 2016-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN105762081A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 叶江波 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 制作方法 | ||
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
在一半导体衬底上依序沉积栅绝缘层和栅金属层；
形成第一光阻图案于所述栅金属层上，蚀刻未被所述第一光阻图案遮盖住的所述栅金属层，以形成栅电极，其中，所述栅电极的宽度小于所述第一光阻图案的宽度；
以所述第一光阻图案作为掩膜，对所述半导体衬底进行第一次离子植入，以形成预备源/漏极；
对所述第一光阻图案的侧壁进行蚀刻，以形成第二光阻图案，其中，所述第二光阻图案的宽度小于所述第一光阻图案的宽度；
以所述第二光阻图案作为掩膜，对所述半导体衬底进行第二次离子植入，以形成源/漏极，其中所述源/漏极包括一重掺杂漏极区和一轻掺杂漏极区。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，形成第一光阻图案于所述栅金属层上，包括：在所述栅金属层上涂覆光刻胶，利用掩膜板对所述光刻胶进行曝光，显影后形成第一光阻图案。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，蚀刻未被所述第一光阻图案遮盖住的所述栅金属层，包括：对所述栅金属层进行第一次蚀刻，形成初步栅电极；对所述初步栅电极进行第二次蚀刻，形成栅电极。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一次蚀刻的速率大于所述第二次蚀刻的速率。
5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一次蚀刻使用氟化硫和氧气。
6.根据权利要求4所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述第二次蚀刻使用氯气和氧气。
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，使用氧气对所述第一光阻图案进行蚀刻。
8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述轻掺杂漏极区的宽度和所述第二光阻图案与所述栅电极的宽度之中的较小值相等。
9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述栅绝缘层为氮化硅层或者氧化硅层，或者氮化硅层和氧化硅层的混合。
10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述氮化硅层位于所述氧化硅层上面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
