[发明专利]一种半导体场效应晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

在硅片的沟槽中形成第一氧化硅层；

在所述第一氧化硅层上覆盖第一多晶硅层，且所述第一多晶硅层填满所述沟槽；

对所述第一氧化硅层和所述第一多晶硅层进行刻蚀，保留预设深度的第一氧化硅层和第一多晶硅层；

在沟槽以及沟槽的外表面形成第二氧化硅层；

在所述第二氧化硅层包裹的沟槽中填充第二多晶硅层；

在硅片上填充介质及金属，形成半导体场效应晶体管。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一氧化硅层的厚度为0.1微米至1微米。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在硅片的沟槽中形成第一氧化硅层的步骤具体为：

使用光刻胶作为掩膜，在硅片上进行刻蚀，形成沟槽，所述沟槽的底部位于所述硅片的N型外延层中；

进行热氧化，在所述沟槽的侧壁以及底部生成第一氧化硅层。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，在硅片上进行刻蚀的刻蚀方法包括：干法刻蚀和/或湿法刻蚀。

5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述第一氧化硅层覆盖在所述沟槽的外表面。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述对所述第一氧化硅层和所述第一多晶硅层进行刻蚀，保留预设深度的第一氧化硅层和第一多晶硅层的步骤具体为：

利用干法刻蚀去除位于硅片的P型外延层中的沟槽内的第一氧化硅层和第一多晶硅层，保留位于N型外延层中的沟槽内的第一氧化硅层和第一多晶硅层。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二氧化硅层的厚度为0.01微米至0.1微米。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在沟槽以及沟槽的外表面形成第二氧化硅层的步骤具体为：

在所述沟槽中形成覆盖所述第一氧化硅层和第一多晶硅层的第二氧化硅层、且在所述沟槽的侧壁以及外表面也形成有第二氧化硅层。

9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第二氧化硅层包裹的沟槽中填充第二多晶硅层的步骤具体为：

在所述沟槽的外表面以及侧壁的第二氧化硅层上覆盖第二多晶硅层，且所述第二多晶硅层填满整个沟槽；

刻蚀去除位于沟槽的外表面的第二多晶硅层。

10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在硅片上填充介质及金属，形成半导体场效应晶体管的步骤具体为：

在硅片上进行介质填充与刻蚀以及金属的填充，得到半导体场效应晶体管。

11.一种半导体场效应晶体管，其特征在于，包括：

硅片，所述硅片包括：硅衬底、覆盖在硅衬底上方的N型外延层以及覆盖在N型外延层上方的P型外延层；

所述硅片上设置有至少一个沟槽，且所述沟槽的开口端位于P型外延层表面，所述沟槽的底部位于N型外延层中；

覆盖在所述N型外延层中的沟槽的侧壁和底部上的第一氧化硅层；

覆盖在所述第一氧化硅层上的第一多晶硅层，且所述第一多晶硅层将所述N型外延层中的沟槽填满；

覆盖在所述第一氧化硅层和所述第一多晶硅层上的第二氧化硅层，且所述第二氧化硅层覆盖在所述P型外延层中的沟槽的侧壁上；

覆盖在所述第二氧化硅层上的第二多晶硅层，且所述第二多晶硅层将所述P型外延层中的沟槽填满；

覆盖在所述第二多晶硅层和所述第二氧化硅层上的介质材料；以及

覆盖在所述P型外延层以及所述介质材料上的金属材料。

12.根据权利要求11所述的半导体场效应晶体管，其特征在于，所述第一氧化硅层的厚度为0.1微米至1微米。

13.根据权利要求11所述的半导体场效应晶体管，其特征在于，所述第二 氧化硅层的厚度为0.01微米至0.1微米。