[发明专利]一种反应烧结碳化硅陶瓷除硅方法和装置

权利要求书

1.一种反应烧结碳化硅陶瓷除硅装置，其特征在于，包括密闭反应室，密闭反应室内设置有用于盛放碱的桶（7），桶（7）外侧设置有用于对桶（7）进行加热的加热装置（8），密闭反应室一侧设置有清洗室（4），清洗室（4）与密闭反应室相邻设置；所述清洗室（4）一侧通过第一闸板（2）与密闭反应室相连通，清洗室（4）另一侧设置有第二闸板（5），两道闸板之间设置有用于传送的履带，履带上设置有电动葫芦吊（3）；

将强碱加热到380-420℃后与反应烧结碳化硅陶瓷上的金属硅熔融反应5-10min，除去反应烧结碳化硅陶瓷表面的金属硅。

2.根据权利要求1所述的反应烧结碳化硅陶瓷除硅装置，其特征在于，所述电动葫芦吊（ 3） 下端设置有吊篮（6）。

3.根据权利要求1所述的反应烧结碳化硅陶瓷除硅装置，其特征在于，所述桶（7）为不锈钢桶。

4.根据权利要求1所述的反应烧结碳化硅陶瓷除硅装置，其特征在于，所述加热装置（8）为电阻丝。

5.根据权利要求1或4所述的反应烧结碳化硅陶瓷除硅装置，其特征在于，所述加热装置（8）外侧设置有保温层（9）。

6.根据权利要求1所述的反应烧结碳化硅陶瓷除硅装置，其特征在于，所述密闭反应室的顶部设置有碱蒸汽回收装置（1）。

7.根据权利要求6所述的反应烧结碳化硅陶瓷除硅装置，其特征在于，所述碱蒸汽回收装置（1）采用水冷膨胀节。