[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供第一衬底，在所述第一衬底的第一表面一侧形成包括多个晶体管和第一互连结构的射频前端器件，以及位于所述晶体管外侧的第二互连结构；其中，在所述第一衬底的第一表面一侧、所述晶体管的两侧的所述第一衬底中形成有浅沟槽隔离结构；

提供第二衬底，通过键合工艺将所述第二衬底与所述第一衬底的形成有所述射频前端器件的一侧相接合；

从所述第一衬底的与所述第一表面相对的第二表面一侧对所述第一衬底进行减薄处理至第一衬底厚度；

在减薄至所述第一衬底厚度的第一衬底的第二表面形成背面介电层；

其中,所述第一衬底厚度在所述晶体管最小特征尺寸的0.01倍以上及所述晶体管最大特征尺寸的10倍以下；所述最小特征尺寸是指在所述多个晶体管中最小的沟道长度，所述最大特征尺寸是指在所述多个晶体管中最大的沟道长度。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述减薄处理停止于所述浅沟槽隔离结构上。

3.如权利要求1或2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在形成所述背面介电层之后，还包括以下步骤：

在所述第一衬底的所述第二表面一侧形成与所述第二互连结构的底部金属层电连接的通孔结构；

在所述第一衬底的部分所述第二表面上形成焊盘，所述焊盘与所述通孔结构电连接。

4.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在形成所述焊盘之后，还包括步骤：

形成覆盖所述第一衬底的所述第二表面但暴露出所述焊盘的打线区的钝化层。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一衬底为体硅衬底。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述减薄处理的方法使用背部研磨工艺，化学机械抛光或者湿法刻蚀工艺中的一种或几种。

7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一互连结构包括底部金属层、顶部金属层以及位于底部金属层和顶部金属层之间的中间金属层，在部分所述中间金属层上形成有金属-绝缘层-金属电容。

8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在进行所述键合工艺之前，在所述第二衬底的与所述第一衬底相接合的表面上形成键合层。

9.一种半导体器件，其特征在于，采用如权利要求1至8之一所述的方法制作获得所述半导体器件。