[发明专利]形成FINFET半导体装置的鳍片的方法及其半导体装置

权利要求书

1.一种制造集成电路的方法，该方法包含：

在衬底上面形成多个鳍片；

在该多个鳍片上面及该多个鳍片之间形成至少一个介电材料，该介电材料包含布置于该多个鳍片的顶端表面部分上的覆盖层；

在该介电材料上面形成掩膜层，该掩膜层中界定有开口；

进行至少一个蚀刻程序以移除该至少一个介电材料中被该开口所曝露的一部分，以便移除该介电材料及该覆盖层中被该开口所曝露的部分以曝露该多个鳍片中至少一个鳍片的该顶端表面部分及侧壁表面部分，其中被该开口所曝露的该至少一个介电材料留在该衬底上面与该至少一个鳍片相邻；以及

进行蚀刻程序以移除该至少一个鳍片。

2.如权利要求1所述的方法，其中，凹口是通过移除该至少一个鳍片来界定，而且该方法更包含形成第二介电层以至少部分填充该凹口。

3.如权利要求2所述的方法，其中，气隙是被界定在布置于该凹口中的该第二介电层中。

4.如权利要求1所述的方法，其中，移除该介电材料包含在该介电材料中形成沟槽以曝露该至少一个鳍片的顶端表面。

5.如权利要求4所述的方法，其中，移除该介电材料更包含在形成该沟槽之后，移除该介电材料中被该开口所曝露的该部分以曝露该侧壁表面部分。

6.如权利要求1所述的方法，其中，形成该介电材料包含：

在该覆盖层上面及该多个鳍片上面形成衬垫层；以及

在该衬垫层上面及该多个鳍片之间形成第一介电层。

7.如权利要求6所述的方法，其中，移除该介电材料包含：

进行第一蚀刻程序以通过移除该覆盖层、该衬垫层及该第一介电层的部分来界定该介电材料中的沟槽，用以曝露该至少一个鳍片的该顶端表面部分；

进行第二蚀刻程序以选择性地移除该第一介电层中被该开口所曝露的部分，用以曝露该衬垫层；以及

进行第三蚀刻程序以选择性地移除布置在该侧壁表面部分上面的该衬垫层。

8.如权利要求7所述的方法，其中，该第二蚀刻程序包含对于该第一介电层的材料具有选择性的非等向性蚀刻程序。

9.如权利要求8所述的方法，其中，该第三蚀刻程序包含对于该衬垫层的材料具有选择性的至少一个等向性蚀刻程序。

10.如权利要求9所述的方法，其中，该衬垫层包含第一衬垫层及形成于该第一衬垫层上面的第二衬垫层，而且该第三蚀刻程序包含对于该第二衬垫层的材料具有选择性的第一等向性蚀刻程序、及对于该第一衬垫层的材料具有选择性的第二等向性蚀刻程序。

11.如权利要求7所述的方法，其中，该第一蚀刻程序包含非选择性非等向性蚀刻，该非选择性非等向性蚀刻移除该覆盖层、该衬垫层及该第一介电层的部分。

12.如权利要求6所述的方法，其中，通过移除该至少一个鳍片是界定出凹口，而且该方法更包含形成第二介电层以至少部分填充该凹口。

13.如权利要求12所述的方法，其中，气隙是被界定在布置于该凹口中的该第二介电层中。

14.如权利要求13所述的方法，更包含使该介电材料及该第二介电层凹陷以曝露该多个鳍片中的至少一个剩余鳍片，其中，该第二介电层在该凹陷之后是留在该气隙上面。

15.一种制造集成电路的方法，该方法包含：

在衬底上面形成多个鳍片，各鳍片在顶端表面上形成有覆盖层；

在该多个鳍片及该覆盖层上面形成衬垫层；

在该衬垫层上面形成第一介电层；

平坦化该第一介电层以曝露该覆盖层的顶端表面；

在该第一介电层上面形成掩膜层，该掩膜层中界定有开口，该开口曝露该多个鳍片中至少一个鳍片；

移除该开口所曝露的该覆盖层、该衬垫层及该第一介电层的一部分，以便曝露该至少一个鳍片的顶端与侧壁表面部分，其中，该第一介电层留在该衬底上面与该至少一个鳍片相邻；

进行蚀刻程序以移除通过移除该覆盖层、该衬垫层及该第一介电层的该部分所曝露的该至少一个鳍片，其中，凹口是通过移除该至少一个鳍片来界定；以及

形成第二介电层以至少部分填充该凹口。

16.如权利要求15所述的方法，其中，气隙是被界定在布置于该凹口中的该第二介电层中。