[发明专利]一种超结功率器件及其制造方法

权利要求书

1.一种超结功率器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

在N型衬底经外延生成的N型外延层，注入形成第一P型区域和N型截止区域；

在所述第一P型区域和所述N型截止区域之间的所述N型外延层上，形成一凹槽结构的P型注入窗口，所述凹槽结构的深度大于所述第一P型区域的深度；

在所述P型注入窗口内进行注入，形成与所述第一P型区域连通的第二P型区域；

其中，所述P型注入窗口是使用光刻胶作为掩膜，通过干法刻蚀在所述第一P型区域和所述N型截止区域之间的N型外延层上得到的。

2.根据权利要求1所述的超结功率器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：

在所述第一P型区域、所述N型外延层、所述第二P型区域和所述N型截止区域的表面热氧化形成第一氧化层；

在所述第一氧化层上光刻和刻蚀形成第一开口和第二开口；

在所述第一开口、所述第二开口内，以及剩余的所述第一氧化层上形成具有高电阻的导电层，所述导电层通过所述第一开口与所述第一P型区域电连接，所述导电层通过所述第二开口与所述N型外延层或所述N型截止区域电连接；

在所述导电层表面热氧化形成第二氧化层。

3.根据权利要求2所述的超结功率器件的制造方法，其特征在于，所述第一氧化层包括第一部分和第二部分，所述第二开口设置于所述第一部分和所述第二部分之间。

4.根据权利要求2所述的超结功率器件的制造方法，其特征在于，所述导电层为高阻多晶硅。

5.根据权利要求1所述的超结功率器件的制造方法，其特征在于，所述N型截止区域的掺杂浓度大于所述N型外延层的掺杂浓度；所述第一P型区域的掺杂浓度大于所述第二P型区域的掺杂浓度。

6.一种超结功率器件，其特征在于，包括：

形成在N型衬底的N型外延层上的第一P型区域和N型截止区域；

在所述第一P型区域和所述N型截止区域之间的所述N型外延层上，形成有一向下凹陷的P型注入窗口；以及

在所述P型注入窗口经注入形成的第二P型区域；其中，

所述P型注入窗口的深度大于所述第一P型区域的深度；

所述第一P型区域连通所述第二P型区域；

其中，所述P型注入窗口是使用光刻胶作为掩膜，通过干法刻蚀在所述第一P型区域和所述N型截止区域之间的N型外延层上得到的。

7.根据权利要求6所述的超结功率器件，其特征在于，所述超结功率器件还包括：

设置于所述第一P型区域、所述N型外延层、所述第二P型区域和所述N型截止区域的表面的第一氧化层：

设置于所述第一氧化层上的第一开口和第二开口；

设置于所述第一开口、所述第二开口内，以及剩余的所述第一氧化层上的高电阻的导电层；以及

设置于所述导电层上的第二氧化层；其中，

所述导电层通过所述第一开口与所述第一P型区域电连接，所述导电层通过所述第二开口与所述N型外延层或所述N型截止区域电连接。

8.根据权利要求7所述的超结功率器件，其特征在于，所述第一氧化层包括第一部分和第二部分，所述第二开口设置于所述第一部分和所述第二部分之间。

9.根据权利要求7所述的超结功率器件，其特征在于，所述导电层为高阻多晶硅。

10.根据权利要求6所述的超结功率器件，其特征在于，所述N型截止区域的掺杂浓度大于所述N型外延层的掺杂浓度；所述第一P型区域的掺杂浓度大于所述第二P型区域的掺杂浓度。