[发明专利]一种垂直双扩散MOS器件及其制作方法

权利要求书

1.一种垂直双扩散MOS器件的制作方法，其特征在于，包括：

在N型衬底层的表面形成N型外延层；

在所述N型外延层内形成第一P-体区；

在所述第一P-体区内形成N+源区及包覆在所述N+源区周围的第二P-体区，其中，所述N+源区的表面与所述N型外延层的表面持平；

所述在所述N型外延层内形成第一P-体区的步骤包括：

在所述N型外延层的表面形成栅极氧化层；

在所述栅极氧化层的表面形成多晶硅层，并对所述多晶硅层进行刻蚀处理，形成位于所述栅极氧化层表面的多晶栅极；

在所述栅极氧化层的表面及所述多晶栅极的表面进行硼离子注入处理，形成位于所述N型外延层内的第一P-体区；

所述在所述第一P-体区内形成N+源区及包覆在所述N+源区周围的第二P-体区的步骤包括：

在形成源区的光刻胶图形后，在所述多晶栅极的表面、所述栅极氧化层的表面及所述光刻胶图形的表面进行硼离子注入处理，在所述第一P-体区内形成第二P-体区；

在所述多晶栅极的表面、所述栅极氧化层的表面及所述光刻胶图形的表面进行砷离子注入，在所述第一P-体区内形成位于所述第二P-体区上方的N+源区，其中，所述N+源区的表面与所述N型外延层的表面持平；

去除光刻胶，并对所述第二P-体区进行驱入处理，形成包覆在所述N+源区周围的第二P-体区。

2.根据权利要求1所述的垂直双扩散MOS器件的制作方法，其特征在于，在所述第一P-体区内形成N+源区及包覆在所述N+源区周围的第二P-体区的步骤之后，所述制作方法还包括：

在所述第一P-体区内、形成包覆所述第二P-体区的部分区域的P+深体区。

3.根据权利要求2所述的垂直双扩散MOS器件的制作方法，其特征在于，所述在所述第一P-体区内、形成包覆所述第二P-体区的部分区域的P+深体区的步骤包括：

在所述多晶栅极的表面及所述栅极氧化层的表面形成氮化硅层，所述氮化硅层内形成有一凹槽；

在所述氮化硅层的表面进行硼离子注入处理，在所述第一P-体区内、形成包覆所述第二P-体区的部分区域的P+深体区，其中，所述P+深体区位于所述凹槽的下方。

4.根据权利要求3所述的垂直双扩散MOS器件的制作方法，其特征在于，所述在所述氮化硅层的表面进行硼离子注入处理，在所述第一P-体区内、形成包覆所述第二P-体区的部分区域的P+深体区的步骤之后，所述制作方法还包括：

在所述氮化硅层的表面形成介质层；

对所述介质层、氮化硅层及栅极氧化层进行刻蚀处理，形成接触孔，其中，所述接触孔开通至所述N型外延层的表面；

在所述介质层的表面及所述N型外延层的表面形成金属层。

5.一种垂直双扩散MOS器件，所述垂直双扩散MOS器件采用如权利要求1至4任一项所述的垂直双扩散MOS器件的制作方法制成，其特征在于，包括：

N型衬底层；

位于所述N型衬底层表面的N型外延层，所述N型外延层内形成有第一P-体区，所述第一P-体区内形成有N+源区，且所述N+源区的表面与所述N型外延层的表面持平；

位于所述第一P-体区内、且包覆在所述N+源区周围的第二P-体区；

位于所述第一P-体区内、且包覆所述第二P-体区的部分区域的P+深体区。

6.根据权利要求5所述的垂直双扩散MOS器件，其特征在于，还包括：

位于所述N型外延层上的栅极氧化层、多晶栅极、氮化硅层、介质层及金属层。

7.根据权利要求5所述的垂直双扩散MOS器件，其特征在于，所述N+源区为砷离子注入区。

8.根据权利要求5所述的垂直双扩散MOS器件，其特征在于，所述第一P-体区和所述第二P-体区均为硼离子注入区。