[发明专利]一种硫化锑膜的制备方法有效
| 申请号： | 201610296937.7 | 申请日： | 2016-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN105951146B | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 张海全;侯文龙;梁波;郭慧云;王海龙;赵乐乐;彭飞;程才红;杨越冬 | 申请（专利权）人： | 燕山大学 |
| 主分类号： | C25D9/08 | 分类号： | C25D9/08 |
| 代理公司： | 秦皇岛一诚知识产权事务所(普通合伙)13116 | 代理人： | 续京沙 |
| 地址： | 066004 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硫化锑 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种硫化锑薄膜的制备方法，其特征在于：它包括如下步骤：
(1)将透明电极先后在丙酮和乙醇溶液中分别超声清洗15min后，再用去离子水冲洗干净；
(2)将两块透明电极垂直排列放入电解槽，制成二个电极，电极表面相互平行；
(3)按每11毫升1,2-乙二胺和1,2-乙二硫醇混合溶液加入0.01-0.03g硫化锑的比例，将硫化锑溶于乙二胺和1,2-乙二硫醇混合溶液，制得电沉积液；所述按乙二胺和1,2-乙二硫醇的体积比为10:1；
(4)将步骤(2)的二个电极放置在步骤(3)的电沉积液中进行阴极恒电位电沉积，电压为1.5-8V，电镀时间为5-30min，电沉积结束后，阴极上沉积出一层均匀质密的薄膜；
(5)将步骤(4)的电沉积膜浸在氮气气氛下300-400度热处理1-10分钟，自然冷却至室温，得到硫化锑膜。
2.根据权利要求1所述的一种硫化锑膜的制备方法，其特征在于，所述透明电极为由透明基材和镀在其表面的透明导电材料构成。
3.根据权利要求2所述的一种硫化锑膜的制备方法，其特征在于，所述的透明基材为无机玻璃、有机玻璃和透明薄膜中的一种。
4.根据权利要求2所述的一种硫化锑膜的制备方法，其特征在于，所述透明导电材料为掺杂的氧化锡、掺杂的氧化铟或掺杂的氧化锌中的一种。
5.根据权利要求1所述的一种硫化锑膜的制备方法，其特征在于，所述透明电极为ITO玻璃。
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