[发明专利]基于标准CMOS工艺的耐高压线性稳压器

权利要求书

1.一种基于标准CMOS工艺的耐高压线性稳压器，包括：

预稳压器，根据输入电压，产生稳定电压，为带隙放大器供电；

带隙放大器，根据反馈信号，输出驱动信号；

驱动器，当接收到所述驱动信号，根据输入电压，产生输出电压；

反馈单元，根据所述输出电压，输出所述反馈信号；

所述驱动器包括N个标准CMOS工艺中的PMOS晶体管；

N个PMOS晶体管依次串联连接，带隙放大器对各个PMOS晶体管的栅极电压进行驱动控制，将输入电压均匀地分布到N个PMOS晶体管的源漏两端，每个PMOS晶体管所需承担的电压不至于让其损坏，N为大于1的正整数；

所述线性稳压器还包括栅极偏置电路；

所述栅极偏置电路，根据带隙放大器的驱动信号，为N个PMOS晶体管的栅极提供偏置电压；

其特征在于，所述栅极偏置电路包括PMOS晶体管MP0、N-1个稳压管、电流源I1和N个NMOS晶体管；

串联连接的N个PMOS晶体管中的第一个PMOS晶体管与PMOS晶体管MP0构成电流镜像偏置；N个PMOS晶体管中相连的两个PMOS晶体管的栅极之间分别串联一个稳压管，第N-1个稳压管的阳极与第N个PMOS晶体管的栅极连接，第N-1个稳压管的阴极与第N-1个PMOS晶体管的栅极连接；电流源I1为N-1个稳压管提供偏置电流；

N个NMOS晶体管依次串联连接，其中第一个NMOS晶体管的漏极与所述第一个PMOS晶体管的漏极和其栅极同时连接；

带隙放大器的驱动信号输入至串联的N个NMOS晶体管的第N个NMOS晶体管的栅极。

2.如权利要求1所述的基于标准CMOS工艺的耐高压线性稳压器，其特征在于，所述NMOS晶体管增加一层DNW，兼容标准CMOS工艺。

3.如权利要求1或2所述的基于标准CMOS工艺的耐高压线性稳压器，其特征在于，所述预稳压器包括N个电阻和第N稳压管；

N个电阻依次串联连接，第一个电阻还用于接入输入电压，第N个电阻还用于与第N稳压管的阴极连接，第N稳压管的阳极接地。

4.如权利要求3所述的基于标准CMOS工艺的耐高压线性稳压器，其特征在于，串联的N个NMOS晶体管中前N-1个NMOS晶体管的栅极偏置电压分别从预稳压器的N个电阻中N-1个抽头上获得。

5.如权利要求4所述的基于标准CMOS工艺的耐高压线性稳压器，其特征在于，所述输入电压为15V，所述驱动器产生的输出电压为5V、3.3V或2.5V。

6.如权利要求3所述的基于标准CMOS工艺的耐高压线性稳压器，其特征在于，所述稳压管均用二极管连接的MOS晶体管实现。