[发明专利]改善半导体器件性能的方法

权利要求书

1.一种改善半导体器件性能的方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底表面形成有栅极结构；

形成覆盖所述栅极结构侧壁表面的第一侧墙，所述第一侧墙包括偏移侧墙以及位于偏移侧墙侧壁表面的掩膜侧墙；

在所述第一侧墙两侧的基底内形成源漏掺杂区；

在形成所述源漏掺杂区之后，刻蚀去除所述第一侧墙，暴露出栅极结构侧壁表面；

在所述暴露出的栅极结构侧壁表面形成第二侧墙，所述第二侧墙的材料的相对介电常数小于第一侧墙的材料的相对介电常数；

形成覆盖所述源漏掺杂区以及第二侧墙的层间介质层。

2.如权利要求1所述的改善半导体器件性能的方法，其特征在于，所述第二侧墙还位于源漏掺杂区上方以及栅极结构顶部。

3.如权利要求1或2所述的改善半导体器件性能的方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺形成所述第二侧墙。

4.如权利要求1所述的改善半导体器件性能的方法，其特征在于，所述第二侧墙的材料为低k介质材料。

5.如权利要求1所述的改善半导体器件性能的方法，其特征在于，所述第二侧墙的材料为掺碳氧化硅、掺氟氧化硅或掺硼氧化硅。

6.如权利要求1或2所述的改善半导体器件性能的方法，其特征在于，在形成所述层间介质层之前，还包括，形成覆盖所述第二侧墙表面的过渡层，所述过渡层的材料与所述第二侧墙的材料不同。

7.如权利要求6所述的改善半导体器件性能的方法，其特征在于，在形成所述层间介质层之前，还包括，形成覆盖所述过渡层表面的刻蚀停止层。

8.如权利要求7所述的改善半导体器件性能的方法，其特征在于，所述过渡层的材料为氧化硅；所述刻蚀停止层的材料为氮化硅。

9.如权利要求1所述的改善半导体器件性能的方法，其特征在于，所述第一侧墙的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

10.如权利要求1所述的改善半导体器件性能的方法，其特征在于，所述偏移侧墙的厚度为2nm～3nm；所述掩膜侧墙的厚度为3nm～6nm。

11.如权利要求1所述的改善半导体器件性能的方法，其特征在于，所述源漏掺杂区包括位于偏移侧墙两侧的基底内的轻掺杂源漏区、以及位于掩膜侧墙两侧的基底内的重掺杂源漏区。

12.如权利要求11所述的改善半导体器件性能的方法，其特征在于，形成所述源漏掺杂区以及第一侧墙的工艺步骤包括：形成覆盖所述栅极结构侧壁表面的偏移侧墙；以所述偏移侧墙为掩膜，在所述偏移侧墙两侧的基底内形成轻掺杂源漏区；接着，在所述偏移侧墙侧壁表面形成掩膜侧墙；以所述掩膜侧墙为掩膜，在所述掩膜侧墙两侧的基底内形成重掺杂源漏区。

13.如权利要求11所述的改善半导体器件性能的方法，其特征在于，所述重掺杂源漏区内形成有应力层。

14.如权利要求13所述的改善半导体器件性能的方法，其特征在于，所述应力层的材料为SiGe、SeGeB、SiB、SiC、SiCP或SiP。

15.如权利要求13所述的改善半导体器件性能的方法，其特征在于，形成所述重掺杂源漏区的工艺步骤包括：刻蚀位于所述掩膜侧墙两侧的部分厚度的基底，在所述基底内形成开口；形成填充满所述开口的应力层，在形成所述应力层的过程中采用原位自掺杂处理形成所述重掺杂源漏区；或者，在形成所述应力层后，对所述应力层进行掺杂处理形成所述重掺杂源漏区。