[发明专利]存储单元的制备方法

说明书

本发明提供一种存储单元的制备方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成第一多晶硅；在第一多晶硅上形成多层膜结构，多层膜结构由多层氧化硅和多层氮化硅依次交替层叠形成，其中，多层膜结构包括至少两层氧化硅以及至少两层氮化硅；选择性刻蚀多层膜结构以及所述第一多晶硅，剩余的部分第一多晶硅形成间隔的选择栅和浮栅，剩余的多层膜结构分别位于选择栅和浮栅上；以及在浮栅上的多层膜结构上形成控制栅。本发明的存储单元中，当电子存储在浮栅中时，电子更难以穿过多层膜结构，从而存储单元的数据存储能力更强。

技术领域

本发明涉及存储单元技术领域，尤其涉及一种存储单元及其制备方法。

背景技术

存储单元装置通常作为内部元件、半导体集成电路提供于计算机或其它电子装置中。存储单元分为许多不同的类型，例如随机存取存储单元(RAM)、只读存储单元(ROM)、动态随机存取存储单元(DRAM)、同步动态随机存取存储单元(SDRAM)及非易失性快闪存储单元。快闪存储单元装置已发展成为用于各种电子应用的非易失性存储单元的普遍来源。快闪存储单元装置通常使用允许高存储单元密度、高可靠性及低功率消耗的单晶体管存储单元单元。快闪存储单元的常见使用包含个人计算机、个人数字助理(PDA)、数码相机及蜂窝式电话。

现有技术中的存储单元包括源极、漏极、选择栅、浮栅以及位于浮栅上的控制栅。当对存储单元进行操作时，选择栅用于选中存储单元中的某个存储单元，并且在控制栅上加较高的操作电压，电子(也即是数据)存储在浮栅中。现有技术中浮栅与控制栅之间存在一层氧化硅和一层氮化硅的介质层，用于抑制电子从浮栅中溢出，尽管如此，存储单元的数据存储能力不足以满足要求。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种存储单元及其制备方法，解决现有技术的存储单元的数据存储能力不足的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种存储单元的制备方法，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成第一多晶硅；

在所述第一多晶硅上形成多层膜结构，所述多层膜结构由多层氧化硅和多层氮化硅依次交替层叠形成，其中，所述多层膜结构包括至少两层氧化硅以及至少两层氮化硅；

选择性刻蚀所述多层膜结构以及所述第一多晶硅，剩余的部分所述第一多晶硅形成间隔的选择栅和浮栅，剩余的所述多层膜结构分别位于所述选择栅和浮栅上；以及

在所述浮栅上的多层膜结构上形成控制栅。

可选的，形成所述控制栅的步骤包括：

形成第二多晶硅，所述第二多晶硅覆盖所述多层膜结构以及所述半导体衬底；

去除所述选择栅上的所述第二多晶硅以及部分所述浮栅周围的所述第二多晶硅，所述浮栅上的所述第二多晶硅形成所述控制栅。

可选的，所述多层膜结构包括依次层叠的第一氧化硅、第一氮化硅、第二氧化硅以及第二氮化硅。

可选的，所述第一氧化硅的厚度为

可选的，所述第一氮化硅的厚度为

可选的，所述第二氧化硅的厚度为

可选的，所述第二氮化硅的厚度为

可选的，所述多层膜结构还包括位于所述第二氮化硅上的第三氧化硅以及位于所述第三氧化硅上的第三氮化硅。

可选的，刻蚀所述第一多晶硅前，所述多层膜结构的厚度为刻蚀所述第一多晶硅后，所述多层膜结构的厚度为

可选的，在形成所述控制栅之前，还在所述选择栅和所述浮栅周围均形成侧墙。