[发明专利]存储单元的制备方法

权利要求书

1.一种存储单元的制备方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成第一多晶硅；

在所述第一多晶硅上形成多层膜结构，所述多层膜结构由多层氧化硅和多层氮化硅依次交替层叠形成，其中，所述多层膜结构包括至少两层氧化硅以及至少两层氮化硅；

选择性刻蚀所述多层膜结构以及所述第一多晶硅，剩余的部分所述第一多晶硅形成间隔的选择栅和浮栅，剩余的所述多层膜结构分别位于所述选择栅和浮栅上；以及

在所述浮栅上的多层膜结构上形成控制栅。

2.如权利要求1所述的存储单元的制备方法，其特征在于，形成所述控制栅的步骤包括：

形成第二多晶硅，所述第二多晶硅覆盖所述多层膜结构以及所述半导体衬底；

去除所述选择栅上的所述第二多晶硅以及部分所述浮栅周围的所述第二多晶硅，所述浮栅上的所述第二多晶硅形成所述控制栅。

3.如权利要求1或2所述的存储单元的制备方法，其特征在于，所述多层膜结构包括依次层叠的第一氧化硅、第一氮化硅、第二氧化硅以及第二氮化硅。

4.如权利要求3所述的存储单元的制备方法，其特征在于，所述第一氧化硅的厚度为

5.如权利要求3所述的存储单元的制备方法，其特征在于，所述第一氮化硅的厚度为

6.如权利要求3所述的存储单元的制备方法，其特征在于，所述第二氧化硅的厚度为

7.如权利要求3所述的存储单元的制备方法，其特征在于，所述第二氮化硅的厚度为

8.如权利要求3所述的存储单元的制备方法，其特征在于，所述多层膜结构还包括位于所述第二氮化硅上的第三氧化硅以及位于所述第三氧化硅上的第三氮化硅。

9.如权利要求3所述的存储单元的制备方法，其特征在于，刻蚀所述第一多晶硅前，所述多层膜结构的厚度为刻蚀所述第一多晶硅后，所述多层膜结构的厚度为

10.如权利要求1所述的存储单元的制备方法，其特征在于，在形成所述控制栅之前，还在所述选择栅和所述浮栅周围均形成侧墙。

11.如权利要求1所述的存储单元的制备方法，其特征在于，还包括：在所述半导体衬底中形成源区和漏区，所述源区位于所述浮栅背离所述选择栅的一侧的半导体衬底中，所述源区位于所述选择栅背离所述浮栅的一侧的半导体衬底中。

12.如权利要求1所述的存储单元的制备方法，其特征在于，还包括：在所述存储单元的一侧形成逻辑单元，所述逻辑单元与所述存储单元之间通过浅沟槽隔离结构隔离，所述逻辑单元包括位于所述半导体衬底上的逻辑栅极、位于所述逻辑栅极两侧的逻辑源极和逻辑漏极；其中，所述逻辑栅极与所述浮栅和所述选择栅同时形成。