[发明专利]一种谐振增强型热释电红外探测器有效
申请号: | 201610290352.4 | 申请日: | 2016-05-05 |
公开(公告)号: | CN105810773B | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 梁志清;王涛;马振东;伍浏权;刘子骥 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101;H01L31/0232;G01J5/20 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人: | 葛启函 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 谐振 增强 型热释电 红外探测器 | ||
技术领域
本发明涉及热释电探测器电子技术领域,具体涉及一种谐振增强型热释电红外探测器。
背景技术
热释电红外探测器是利用热释电材料的自发极化强度随温度而变化的效应制成的一种热敏型红外探测器。在恒定温度下,热释电材料的自发极化被体内的电荷和表面吸附电荷所中和。热释电红外探测器广泛应用于报警、红外成像、非接触测温、气体分析等领域,在光谱仪,激光器、红外地平仪中均有应用。热释电红外探测器属于非制冷红外探测器,具有室温工作、结构紧凑、稳定可靠等优点。在0.8~25μm波段,热释电红外探测器具有平坦的光谱响应。
热释红外电探测器包括光学系统、红外传感器单元、信号处理电路、输出控制装置;热释电红外探测器的性能主要由响应速度和敏感性表征,热释电红外探测器的光学系统的基本功能是将目标红外热能汇聚到热释电传感器表面,在一定波段范围内要想获得好的敏感性,就要求探测器的吸收层对红外线的吸收率高,同时为信号的后续处理奠定基础。因此,热释电红外探测器的吸收层设计受到了越来越多的重视。
热释电材料是一种具有自发极化的电介质,它的自发极化强度随温度变化;根据以下公式:
其中,P为极化强度,T为温度,dP为极化强度变化,dT为温度变化;可用公式(1)来描述热释电系数p;若dt时间内,热释电材料吸收热辐射,温度变化dT,极化强度变化dP,则材料单位面积产生的电流如公式(2)所示。
甚长波红外频段热释电红外单元探测器吸收层的吸收率是其重要性能参数之一,直接影响着探测器敏感层的温升快慢和大小,因此,如何提高热释电红外单元探测器的吸收率,从而提高热释电红外单元探测器的响应率和探测率,是本领域中的重要问题。
众所周知,光学谐振腔是激光器件的基本组成之一,是用来加强输出激光的亮度,调节和选定激光的波长和方向的装置,从真空紫外到远红外的绝大部分激光系统都使用光学谐振腔。其中光谐振腔的作用主要为光学正反馈作用和产生对振荡光束的控制作用。其中,微腔激光器是一种由尺寸在微米或者亚微米量级的光学谐振腔和增益介质组成的微型激光器,其中光学谐振腔是它的核心部分。微腔激光器具有体积小能耗低的特点,而且可以大规模集成,且具有很多潜在的应用价值。
发明内容
为了克服现有技术的不足,本发明提供一种吸收率高的一种谐振增强型双吸收层热释电探测器。
本发明的的技术方案如下:
一种谐振增强型热释电红外探测器,其红外传感器单元中的吸收层为复合层结构,由底层至顶层依次包括:底面设有金属反射层和顶面设有第一金属吸收层的钽酸锂晶片,第一介质层,第二金属吸收层,第二介质层以及第三金属层;所述钽酸锂晶片厚度为9~17微米,金属吸收层的材料为镍铬合金,其厚度范围均为6~11纳米,介质层的厚度范围均为3~6纳米。
本发明的谐振增强型热释电红外探测器中,其所述金属反射层为镍铬合金层,金属反射层的厚度范围为180~220纳米。
本发明的谐振增强型热释电红外探测器吸收层结构中,第一金属吸收层、第二金属吸收层、第三金属吸收层分别与钽酸锂晶片、金属反射层之间形成了谐振腔。本发明采用平行平面腔使得光线在周期性透镜波导中来回振荡而不溢出波导之外,增加了入射光穿越吸收层的次数,从而间接提高了吸收层的吸收系数,形成了稳定的透镜波导。所述平行平面腔分类属于临界腔,对工作在临界区的腔,只有某些特定的光线才能在腔内往返而不逸出腔外,从而实现对特定波段的红外光进行多次谐振吸收。
同时,第一介质层、第二介质层分别可以形成小的反射腔进行多次吸收,因此,能在很大程度上提高探测器对于红外入射光的吸收,提高了吸收率。
此外,本发明采用双层吸收层的结构设计使得单个吸收层厚度较薄,从而提高了器件的响应程度。
附图说明
图1是本发明一个实施例的谐振增强型热释电红外探测器吸收层的结构示意图;其中,1为金属反射层,2为钽酸锂晶片,3为第一金属吸收层,4为第一介质层,5为第二金属吸收层,6为第二介质层,7为第三金属层。
具体实施方式
下面将结合附图详细说明本发明的一个实施例结构。
如图1所示为一种谐振增强型热释电红外探测器的吸收层,所述吸收层为复合层结构,由底层至顶层依次包括:底面设有金属反射层1和顶面设有第一金属吸收层3的钽酸锂晶片2,第一介质层4,第二金属吸收层5,第二介质层6以及第三金属层7。
实施例:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的