[发明专利]一种谐振增强型热释电红外探测器有效
| 申请号： | 201610290352.4 | 申请日： | 2016-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN105810773B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 梁志清;王涛;马振东;伍浏权;刘子骥 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/101 | 分类号： | H01L31/101;H01L31/0232;G01J5/20 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 谐振 增强 型热释电 红外探测器 | ||
【权利要求书】：
1.一种谐振增强型热释电红外探测器，其红外传感器单元中吸收层为复合层结构，其特征在于，由底层至顶层依次包括：底面设有金属反射层(1)和顶面设有第一金属吸收层(3)的钽酸锂晶片(2)，第一介质层(4)，第二金属吸收层(5)，第二介质层(6)以及第三金属层(7)；所述钽酸锂晶片(2)厚度为9～17微米，金属吸收层(3、5、7)的材料为镍铬合金，其厚度范围均为6～11纳米，介质层(4、6)的厚度范围均为3～6纳米。
2.根据权利要求1所述的一种谐振增强型热释电红外探测器，其特征在于，所述金属反射层(1)为镍铬合金层，金属反射层(1)的厚度范围为180～220纳米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
