[发明专利]等离子溅射致冷件晶板镀膜装置和致冷件晶板镀膜方法

说明书

技术领域

本发明涉及致冷件生产技术领域的设备和方法，具体地说是等离子溅射致冷件晶板镀膜装置和致冷件晶板镀膜方法。

背景技术

致冷件包括晶粒和瓷板，所述的晶粒主要成分是三碲化二铋，晶粒是由晶板切割而成的，将晶粒焊接在瓷板上之前需要在晶粒的表面形成一层镀膜——镍、钯或银层，以便晶粒和瓷板很好地结合。

现有技术中，使用的是热喷涂装置将镀膜材料结合在晶板上的，这样的装置具有镀膜材料（镍、钯或银）浪费严重、环保性能差、镍和晶板结合力量差的缺点。

采用热喷涂的装置和方法将镀膜材料（镍、钯或银）热熔化并喷涂到晶板上，也具有镀膜材料浪费严重、环保性能差、镀膜和晶板结合力量差的缺点。

发明内容

本发明的目的就是针对上述缺点，提供一种节省耗材、减少浪费、环保性好、镀膜和晶板结合力量好的等离子溅射致冷件晶板镀膜装置，还提供一种节省耗材、减少浪费、环保性好、镍和晶板结合力量好的致冷件晶板镀膜方法。

本发明等离子溅射致冷件晶板镀膜装置这样实现的：等离子溅射致冷件晶板镀膜装置，包括机架，在机架上具有传送装置，在传送装置上面安装溅射装置，所述的传送装置上具有晶板的放置盘。

进一步地讲，所述的溅射装置具有溅射喷头，传送装置运行，放置盘在溅射喷头下面运行的时间是2—3S。

进一步地讲，所述的溅射装置外围还设置有护罩，还有排气装置连接护罩。

本发明等离子溅射致冷件晶板镀膜方法是这样实现的：将晶板放置在溅射装置下面进行溅射，溅射的耗材是镍、钯或银，可以形成一层镀膜的半导体晶板。

较好的技术方案是：溅射的温度是：1500-1600℃，溅射的时间是：2-3S。

本发明的有益效果是：这样的致冷件晶板镀膜装置可以生产出节省耗材、减少浪费、环保性好、镀膜和晶板结合力量好的致冷件晶板镀膜。

这样的等离子溅射致冷件晶板镀膜方法具有节省耗材、减少浪费、环保性好、镍和晶板结合力量好的优点。

附图说明

图1是本发明致冷件晶板镀膜装置的结构示意图。

其中：1、机架2、传送装置3、溅射装置4、放置盘5、护罩。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的说明。

如图1所示，等离子溅射致冷件晶板镀膜装置，包括机架1，在机架上具有传送装置2，在传送装置上面安装溅射装置3，所述的传送装置上具有晶板的放置盘4。

这样，晶板放置在放置盘上，晶板就用溅射装置进行溅射，溅射的效果比着热喷涂的效果更好，也更节省镀膜材料，实现本发明的目的。

进一步地讲，所述的溅射装置具有溅射喷头，传送装置运行，放置盘在溅射喷头下面运行的时间是2—3S，即传送装置不能太快或太慢，这是对运行装置和溅射喷头喷射区域的限定。

进一步地讲，所述的溅射装置外围还设置有护罩5，还有排气装置连接护罩。

实施例1

a、将晶板放置经过热喷涂，喷涂材料用镍，形成第一晶板，其利用率达到10%，散落到周围环境中的镍为90%,用这样的晶板制作半导体致冷件，承受能力较差。

实施例2

a、将晶板放置经过等离子溅射，溅射材料用镍，形成第二晶板，其利用率达到30%，散落到周围环境中的镍为70%,用这样的晶板制作半导体致冷件，承受能力（即晶粒和瓷板的结合力）较好。

实施例3

a、将晶板放置经过等离子溅射，溅射材料用镍，溅射时间是2S，溅射温度是1500℃，形成第三晶板，其利用率达到30%，散落到周围环境中的镍为70%,用这样的晶板制作半导体致冷件，承受能力（即晶粒和瓷板的结合力）较好。

实施例4

a、将晶板放置经过等离子溅射，溅射材料用镍，溅射时间是3S，溅射温度是1600℃，形成第三晶板，其利用率达到30%，散落到周围环境中的镍为70%,用这样的晶板制作半导体致冷件，承受能力（即晶粒和瓷板的结合力）较好。

实施例5

a、将晶板放置经过等离子溅射，溅射材料用镍，溅射时间是2.5S，溅射温度是1560℃，形成第三晶板，其利用率达到30%，散落到周围环境中的镍为70%,用这样的晶板制作半导体致冷件，承受能力（即晶粒和瓷板的结合力）最好。

将上述的镍换成银或钯，得到同样的结果，证明等离子溅射半导体晶板是可行的，并具有节省材料、减少污染、增加镀膜和晶板之间的结合力的优点。

以上所述仅为本发明的具体实施例，但本发明的结构特征并不限于此，任何本领域的技术人员在本发明的领域内，所作的变化或修饰皆涵盖在本发明的专利范围内。