[发明专利]等离子溅射致冷件晶板镀膜装置和致冷件晶板镀膜方法在审
| 申请号： | 201610284934.1 | 申请日： | 2016-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN105734509A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 陈磊;陈建民;赵丽萍;钱俊有;张文涛;蔡水占;张会超;王东胜 | 申请（专利权）人： | 河南鸿昌电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 461500 河南省许昌*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子 溅射 致冷 件晶板 镀膜 装置 方法 | ||
【权利要求书】：
1.等离子溅射致冷件晶板镀膜装置，其特征是：包括机架，在机架上具有传送装置，在传送装置上面安装溅射装置，所述的传送装置上具有晶板的放置盘。
2.根据权利要求1所述的离子溅射致冷件晶板镀膜装置，其特征是：所述的溅射装置具有溅射喷头，传送装置运行，放置盘在溅射喷头下面运行的时间是2—3S。
3.根据权利要求1或2所述的离子溅射致冷件晶板镀膜装置，其特征是：所述的溅射装置外围还设置有护罩，还有排气装置连接护罩。
4.等离子溅射致冷件晶板镀膜方法，将晶板放置在溅射装置下面进行溅射，溅射的耗材是镍、钯或银，可以形成一层镀膜的半导体晶板。
5.根据权利要求4所述的等致冷件晶板镀膜方法，其特征是：溅射的温度是：1500-1600℃，溅射的时间是：2-3S。
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