[发明专利]平面型VDMOS器件的制作方法有效
| 申请号： | 201610282623.1 | 申请日： | 2016-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN107331617B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 赵圣哲;马万里 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陶敏;黄健 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 平面 vdmos 器件 制作方法 | ||
1.一种平面型VDMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：
对栅氧化层上的多晶硅层进行光刻、刻蚀，在所述栅氧化层上方的中间区域形成栅极，所述栅极的截面宽度为A+X微米；
制作所述平面型VDMOS器件的P-体区；
在所述栅极的阻挡下，制作所述平面型VDMOS器件的P+深体区，使所述P+深体区的扩散宽度为X微米；
采用低温氧化工艺，将所述栅极外侧的多晶硅转换为氧化层，所述氧化层的厚度为X/2微米，以使所述栅极的边界与所述P+深体区的对应边界齐平；
去除所述栅极外侧的氧化层以及所述栅极左右两侧的栅氧化层；
以所述栅极为阻挡，做自对准的N+源区注入及驱入，形成N+源区。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述A的取值范围为2-20；所述X的取值范围为0.5-1.5。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述对所述多晶硅层进行光刻、刻蚀，在所述栅氧化层上方的中间区域形成栅极之前，还包括：
采用高温氧化工艺，在N型外延层上形成栅氧化层；
采用化学气相沉积工艺，在所述栅氧化层上沉积多晶硅层。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述制作所述平面型VDMOS器件的P-体区具体为：
对所述平面型VDMOS器件进行第一P型离子注入和第一高温驱入，在所述N型外延层内的左右两侧形成P-体区。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一P型离子注入的离子为硼离子，剂量为1.0E13-1.0E15个/平方厘米，能量为60-120KEV；
所述第一高温驱入的温度为900-1150摄氏度，所述第一高温驱入的时间为50-300分钟。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述栅极的阻挡下，制作所述平面型VDMOS器件的P+深体区，使所述P+深体区的扩散宽度为X微米具体为：
在所述栅极的阻挡下，进行第二P型离子注入及第二高温驱入，在所述P-体区内形成P+深体区，使所述P+深体区的扩散宽度为X微米。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二P型离子注入的离子为硼离子或BF2+，剂量为1.0E15-5.0E15个/平方厘米，能量为80-150KEV；
所述第二高温驱入的温度为800-950摄氏度，所述第二高温驱入的时间为20-60分钟。
8.根据权利要求4-7任一项所述的方法，其特征在于，所述低温氧化工艺的温度为700-800摄氏度。
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