[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括高压器件区域和低压器件区域；

在所述半导体衬底上形成第一栅极氧化层；

在所述高压器件区域内的部分第一栅极氧化层表面上形成图案化的掩膜层，其中，所述图案化的掩膜层完全覆盖预定形成第一栅极结构及第一栅极侧墙的区域，且暴露与预定形成的所述高压器件区域内的源漏区位置对应的部分所述第一栅极氧化层和所述低压器件区域的第一栅极氧化层，且被所述图案化的掩膜层覆盖的所述第一栅极氧化层的尺寸大于预定形成的所述第一栅极结构的尺寸；

以所述图案化的掩膜层为掩膜，去除暴露的第一栅极氧化层；

去除所述图案化的掩膜层；

在所述半导体衬底上形成第二栅极氧化层，其中，所述第一栅极氧化层的厚度大于所述第二栅极氧化层的厚度。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成所述第二栅极氧化层之后，还包括步骤：

在所述高压器件区域内形成完全位于所述第一栅极氧化层上的所述第一栅极结构，以及在所述低压器件区域内的所述第二栅极氧化层上形成第二栅极结构；

在所述第一栅极结构的侧壁上以及所述第一栅极氧化层上形成第一栅极侧墙，在所述第二栅极结构的侧壁上形成第二栅极侧墙。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，被所述图案化的掩膜层覆盖的所述第一栅极氧化层的尺寸与预定形成的所述第一栅极结构的尺寸之差等于预定形成的第一栅极侧墙的底表面的尺寸。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述掩膜层为光阻层。

5.如权利要求3或4所述的制造方法，其特征在于，形成所述图案化的掩膜层的方法包括：在所述高压器件区域内的所述第一栅极氧化层上旋涂光阻层，利用形成图案化的所述第一栅极氧化层的光罩，光罩所对应所述高压器件区域内的源漏区的极性定义为第一模 式，在该第一模式下，通过所述光罩对所述高压器件区域内的与其源漏区对应的光阻层以及与所述低压器件区域对应的光阻层进行曝光并显影去除，以形成所述图案化的掩膜层。

6.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，在形成所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之后，形成所述第一栅极侧墙和所述第二栅极侧墙之前，还包括在所述高压器件区域和所述低压器件区域分别形成轻掺杂漏区的步骤。

7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一栅极氧化层的厚度范围为300～2000埃。

8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二栅极氧化层的厚度范围为20～110埃。

9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，采用热氧化的方法形成所述第一栅极氧化层和所述第二栅极氧化层。

10.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构均为多晶硅栅极结构。