[发明专利]超接面半导体组件

权利要求书

1.一种超接面半导体组件，其特征在于，所述超接面半导体组件包括：一基板；

一漂移层，设置于所述基板上，并具有相反于所述基板的一表面，其中所述漂移层内部具有多个n型掺杂区及多个p型掺杂区，多个所述n型掺杂区与多个所述p型掺杂区由所述表面朝所述基板的方向延伸并交替地排列，形成一超接面结构，其中所述漂移层定义一组件区及围绕所述组件区的一终端区；

至少一位于所述组件区内的晶体管结构，其中，所述晶体管结构包括设置在所述漂移层上的一源极层；

一轻掺杂区，位于所述漂移层内部并连接所述表面，且所述轻掺杂区具有一靠近所述组件区的第一末端部及一远离所述组件区的第二末端部；一绝缘层，设置于所述表面上覆盖所述终端区；以及

一主环形场板，设置于所述绝缘层上，使所述主环形场板覆盖所述第二末端部，

其中，所述源极层与所述主环形场板相互隔离且上下不重叠。

2.如权利要求1所述的超接面半导体组件，其中每一所述p型掺杂区具有一第一宽度W1与一第一浓度p1，每一所述n型掺杂区具有一第二宽度W2与一第二浓度n1，且满足下列关系式：p1*W1≈n1*W2。

3.如权利要求1所述的超接面半导体组件，其中该终端区具有至少具有六组p型掺杂区与n型掺杂区交替排列。

4.如权利要求1所述的超接面半导体组件，其中所述主环形场板凸出于所述第二末端部一长度L，每一所述p型掺杂区具有一第一宽度W1，每一所述n型掺杂区具有一第二宽度W2，且满足下列关系式：a*(W1+W2)>L>(a*(W1+W2)-W2)，其中a为正整数。

5.如权利要求4所述的超接面半导体组件，还进一步包括：至少一辅助环形场板位于所述终端区并围绕所述主环形场板，其中所述主环形场板的宽度大于任一所述辅助环形场板的宽度。

6.如权利要求5所述的超接面半导体组件，其中所述辅助环形场板的宽度皆相同为w，满足下列关系式：w≧0.5(W1+W2)。

7.如权利要求5所述的超接面半导体组件，其中所述辅助环形场板跨于所述p型掺杂区与所述n型掺杂区交错，其中所述辅助环形场板较靠近组件区一端为p型掺杂区，相反另一端为n型掺杂区。

8.如权利要求5所述的超接面半导体组件，其中多个所述p型掺杂区由所述组件区延伸至所述终端区的最外侧的所述辅助环形场板内部。

9.如权利要求5所述的超接面半导体组件，其中所述p型掺杂区由所述组件区延伸至所述终端区的最外侧的所述辅助环形场板之外部。

10.如权利要求1所述的超接面半导体组件，所述主环形场板具有靠近所述组件区的一端面，所述端面与所述源极层的一端面相对且相隔一预定距离，且所述预定距离至少大于所述p型掺杂区的一第一宽度。

11.如权利要求1所述的超接面半导体组件，其中，多个所述p型掺杂区在所述表面上具有大致相同的一延伸方向，所述主环形场板具有和所述延伸方向平行的一第一直线段、和所述延伸方向垂直的一第二直线段以及连接于所述第一直线段与所述第二直线段之间的一转折部，其中所述转折部为一弧形转折部或一直角转折部。

12.如权利要求1所述的超接面半导体组件，更包括一密封环，围绕于所述终端区外围，用以避免静电放电产生。