[发明专利]用于制造存储器装置的方法

说明书

本发明公开了一种存储器装置及其制造方法，此存储器装置包含：闸极结构、两个接点及顶层。闸极结构置于基板之上。两个接点置于相邻的闸极结构之间。顶层两个接点之上，以在两个接点之间定义一空间。借此，本发明的存储器装置，能降低或消除两个接点之间的电容耦合或寄生电容效应。

技术领域

本发明涉及一种存储器装置及其制造方法，且特别涉及一种具有介电层于接点之间的存储器装置及其制造方法。

背景技术

动态随机存储器(Dyanmic Random Access Memory，DRAM)是许多电子产品内的必要元件。为了增加组件密度以及提升动态随机存储器的整体性能，工业制造商不断地努力以缩小用于动态随机存储器的电晶体的尺寸。

随着电晶体的尺寸下降，元件之间的电容性耦合效应或单一接点中来自不同主动区域的信号之间的交互影响，将损坏储存的数据。因此，有必要发展出新颖的结构及其制造方法，以解决上述的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种存储器装置及其制造方法，能降低或消除两个接点之间的电容耦合或寄生电容效应。

本发明提供一种存储器装置，其包含闸极结构置于基板之上、两个接点置于相邻的闸极结构之间，以及顶层置于两个接点上方。此顶层用以定义空间于两个接点之间。

根据本发明的一些实施例，空间填入气态材料，此气态材料包含空气、氧气、氮气、氩气、氦气或其任意的组合。

根据本发明的一些实施例，空间是真空。

根据本发明的一些实施例，空间填入介电材料。

根据本发明的一些实施例，基板包含具有第一主动区域及第二主动区域于其中的储存格单元。

根据本发明的一些实施例，闸极结构电气连接至第一主动区域。

根据本发明的一些实施例，每个接点各自电气连接至不同储存格单元的不同的第二主动区域。

根据本发明的一些实施例，存储器装置还包含气隙于接点与闸极结构之间。

根据本发明的一些实施例，存储器装置还包含介电层于接点的侧壁上。

根据本发明的一些实施例，存储器装置还包含第二介电层于闸极结构的侧壁上。

本发明提供一种制造存储器装置的方法，其包含：形成多个具有沟渠于其间的导电线；形成接点层于沟渠之中；以及形成垂直插入接点层的介电层。此介电层配置用以将接点层分成两个接点。

根据本发明的一些实施例，形成垂直插入于接点层之中的介电层，包含：在接点层之上形成具有开孔的硬遮罩层；通过开孔图案化接点层，以形成通孔于接点层之中；以及填入介电材料于通孔之中。

根据本发明的一些实施例，制造存储器装置的方法还包含在接点之间形成气隙。

根据本发明的一些实施例，在接点之间形成气隙，包含：去除介电层；以及在接点之上形成顶层，以形成气隙于接点之间。

根据本发明的一些实施例，去除介电层是借由干蚀刻、湿蚀刻、电浆蚀刻或其任意的组合的方式来进行。

根据本发明的一些实施例，制造存储器装置的方法还包含形成蚀刻停止层于介电层与接点之间。

根据本发明的一些实施例，制造存储器装置的方法还包含在导电线与接点之间形成第二气隙。

根据本发明的一些实施例，在导电线与接点之间形成第二气隙，包含：在导电线与接点之间形成氧化层；去除氧化层；以及在导电线及接点之上形成第二顶层，以在导电线与接点之间形成第二气隙。

根据本发明的一些实施例，制造存储器装置的方法还包含在氧化层的侧壁上形成第二蚀刻停止层。