[发明专利]用于制造存储器装置的方法

权利要求书

1.一种制造存储器装置的方法，所述方法包含：

在基板中形成浅沟槽隔离区域；

在所述基板中形成至少一个凹陷闸极结构，所述凹陷闸极结构与所述浅沟槽隔离区域横向相邻且在其外部；

在所述基板上形成导电线，所述导电线具有在其间横向延伸的沟渠；

在形成所述浅沟槽隔离区域后，在所述沟渠之中形成接点材料；

移除所述接点材料的一部分以形成开孔以暴露所述基板；

在移除所述接点材料的所述部分之后，形成介电材料，所述介电材料在所述浅沟槽隔离区域上方且在所述接点材料的相对的部分之间垂直延伸，所述介电材料经配置以将所述接点材料分隔成两个分开的接点，其中所述导电线的上表面和所述两个分开的接点实质上彼此共面；

在所述导电线的所述上表面和所述两个分开的接点上方直接形成单一的顶层材料；

形成第一气隙，所述第一气隙在所述浅沟槽隔离区域中的一者的上方且在所述两个分开的接点之间，其中在所述两个分开的接点之间形成所述第一气隙包含将所述介电材料全部去除；以及

形成第二气隙，所述第二气隙在所述导电线中的一个导电线和所述两个分开的接点中的一个接点之间，其中所述第二气隙与所述至少一个凹陷闸极结构直接物理接触。

2.如权利要求1所述的方法，其中形成在所述接点材料的所述相对的部分之间垂直延伸的所述介电材料包含：

在所述接点材料之上形成具有开孔的硬遮罩；

通过所述硬遮罩的所述开孔图案化所述接点材料以在所述接点材料之中形成所述开孔；以及

在所述开孔之中填入所述介电材料。

3.如权利要求1所述的方法，其中在所述两个分开的接点之间形成所述第一气隙包含：

在所述两个分开的接点之上形成所述单一的顶层材料以在所述两个分开的接点之间形成所述第一气隙。

4.如权利要求3所述的方法，其中去除所述介电材料是借由干蚀刻、湿蚀刻、电浆蚀刻或其组合的方式来进行。

5.如权利要求1所述的方法，其进一步包括在所述介电材料与所述两个分开的接点中的一个接点之间形成蚀刻停止材料。

6.如权利要求1所述的方法，其中在所述导电线与所述接点之间形成所述第二气隙包含：

在所述导电线与所述接点之间形成氧化材料；

去除所述氧化材料；以及

在所述导电线及所述接点之上形成所述单一的顶层材料以在所述导电线与所述接点之间形成所述第二气隙。

7.如权利要求6所述的方法，其进一步包括在所述氧化材料的侧壁上形成第二蚀刻停止材料。

8.一种形成微电子装置的方法，所述方法包括：

在基板中形成浅沟槽隔离区域；

在所述基板上形成第一闸极结构和在所述基板中形成第二闸极结构，所述第二闸极结构与所述浅沟槽隔离区域横向相邻且在其外部；

在此之后，在位于所述基板上的导电线之间横向延伸的沟渠中形成接触材料；

移除所述接触材料的一部分以暴露所述基板并形成两个接点，所述两个接点中的每一个接点经定位以接近相应导电线，且所述导电线的上表面和所述两个接点实质上彼此共面；

在移除所述接触材料的所述部分之后，在所述两个接点之间垂直插入介电材料以将所述两个接点彼此分开，所述介电材料形成在所述浅沟槽隔离区域上方；且

在所述导电线和所述两个接点上方直接形成单一的顶层材料以形成在所述两个接点之间的第一气隙和在所述两个接点中的一个接点与所述相应导电线之间的第二气隙，其中位于所述两个接点之间的所述第一气隙在所述浅沟槽隔离区域中的一者的上方，其中形成位于分开的所述两个接点之间的所述第一气隙包含将所述介电材料全部去除，并且其中所述第二气隙与所述第二闸极结构直接物理接触。

9.如权利要求8所述的方法，其中形成所述第一闸极结构和所述第二闸极结构包括形成单层结构或多层结构中的至少一者。