[发明专利]一种半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201610239362.5 | 申请日： | 2016-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN107305846A | 公开（公告）日： | 2017-10-31 |
| 发明（设计）人： | 禹国宾 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/8238;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成高K栅极介电层；
对所述高K栅极介电层进行第一退火处理，以去除所述高K栅极介电层中的杂质；
对所述高K栅极介电层进行氧化退火处理，以填充所述高K栅极介电层中的氧空穴和悬挂键。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在氮气气氛下进行所述第一退火处理。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一退火处理包括均温退火、尖峰退火或者毫秒退火。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一退火处理的温度范围为500℃～1200℃。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化退火处理的处理气体包括N2O、O2和NO中的一种或几种。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化退火处理的方法包括炉管氧化、快速热退火氧化、紫外臭氧氧化、臭氧氧化和原位水蒸气氧化中的一种。
7.根据权利要求1、5或6所述的方法，其特征在于，所述氧化退火处理的退火温度范围为500℃～800℃。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述高k栅极介电层之前，还包括在所述半导体衬底的表面上形成界面层的步骤。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述高K栅极介电层选用氧化铪、氧化铪硅、氮氧化铪硅、氧化镧、氧化锆、氧化锆硅或者氧化铝，所述界面层的构成材料包括硅氧化物。
10.一种采用如权利要求1-9之一所述的方法制作的半导体器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
