[发明专利]一种提高纯度、减少针孔的钙钛矿薄膜的制备方法有效
| 申请号: | 201610238700.3 | 申请日: | 2016-04-18 |
| 公开(公告)号: | CN105870339B | 公开(公告)日: | 2018-04-13 |
| 发明(设计)人: | 麦耀华;范建东;刘冲;李红亮;张翠苓 | 申请(专利权)人: | 河北大学 |
| 主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48 |
| 代理公司: | 石家庄国域专利商标事务所有限公司13112 | 代理人: | 胡素梅,白海静 |
| 地址: | 071002 河北省保*** | 国省代码: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 提高 纯度 减少 针孔 钙钛矿 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种提高纯度、减少针孔的钙钛矿薄膜的制备方法,其特征是,包括如下步骤:
a、取PbX2粉末溶解于二甲基甲酰胺中,形成PbX2前驱液;X为Cl、Br或I;
b、将PbX2前驱液通过旋涂工艺旋涂于一基片上,形成PbX2膜层;
c、取CH3NH3X粉末溶解于无水异丙醇中,形成CH3NH3X溶液;
d、采用喷雾热解法将CH3NH3X溶液喷涂于另一基片上,形成CH3NH3X膜层;
e、将涂有PbX2膜层的基片覆盖在涂有CH3NH3X膜层的基片上,并使PbX2膜层与CH3NH3X膜层充分接触;
f、对上述叠放在一起的两个基片进行加热,使CH3NH3X蒸发并扩散至PbX2膜层内,之后退火,形成CH3NH3PbX3钙钛矿薄膜;
所述步骤f具体是:
f1、将上述叠放在一起的两个基片进行加热,并在130℃~140℃下保持2h~3h,使CH3NH3X蒸发并扩散至PbX2膜层内,之后自然降温;
f2、用异丙醇对涂有PbX2膜层的基片进行清洗,之后在140℃~150℃下退火20min~40min,最终形成CH3NH3PbX3钙钛矿薄膜。
2.根据权利要求1所述的提高纯度、减少针孔的钙钛矿薄膜的制备方法,其特征是,步骤f中的加热、退火工艺是在空气环境、惰性气体环境或真空环境中进行。
3.根据权利要求1所述的提高纯度、减少针孔的钙钛矿薄膜的制备方法,其特征是,步骤a具体是:取PbX2粉末溶解于二甲基甲酰胺中,在60℃~70℃下搅拌至澄清,之后过滤,所得滤液即为PbX2前驱液。
4.根据权利要求1所述的提高纯度、减少针孔的钙钛矿薄膜的制备方法,其特征是,步骤a中所形成的PbX2前驱液的浓度为400mg/mL~500 mg/mL。
5.根据权利要求1所述的提高纯度、减少针孔的钙钛矿薄膜的制备方法,其特征是,步骤b具体是:将PbX2前驱液以6000r/min~7000 r/min的转速在基片上旋涂5s~10s,之后在110℃~120℃下进行干燥处理,形成PbX2膜层。
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