[发明专利]降低预抽腔体中芯片温度的方法及芯片降温装置有效

申请号：	201610218470.4	申请日：	2016-04-08
公开（公告）号：	CN107275251B	公开（公告）日：	2020-10-16
发明（设计）人：	林志鑫;牛景豪	申请（专利权）人：	上海新昇半导体科技有限公司
主分类号：	H01L21/67	分类号：	H01L21/67
代理公司：	上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237	代理人：	金华
地址：	201306 上海市浦东***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	降低预抽腔体中芯片温度方法降温装置
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【说明书】：

本发明揭示了一种降低预抽腔体中芯片温度的方法及芯片降温装置。所述降低预抽腔体中芯片温度的方法包括：提供一预抽腔体及一芯片承载盘，该芯片承载盘装设于该预抽腔体内；以及导入冷却气体至该预抽腔体内，该冷却气体的成分包含有氮气以及体积比为100ppm～1％的二氧化碳。

技术领域

本发明涉及半导体技术工艺及设备领域，特别是涉及一种降低预抽腔体中芯片温度的方法及芯片降温装置。

背景技术

当芯片经过反应腔体的高温加工之后，必须将芯片运送至一预抽腔体(LoadLock)进行冷却，直到芯片冷却至小于摄氏100度以后，才可将芯片传送至晶盒内，以避免芯片过热而导致晶盒变形。因此，预抽腔体的冷却速率一直以来成为芯片产能的瓶颈。

目前的预抽腔体设有芯片承载盘、气体入口及气体出口，且预抽腔体的内表面以及芯片承载盘的表面的材质为抛光氧化铝。借由气体入口通入氮气来降低预抽腔体内的温度以及提升预抽腔体的热辐射吸收能力，以便可以更快速地降低芯片的温度。为了避免芯片背面受到污染，芯片承载盘必须使用支撑脚将芯片隔离于芯片承载盘的表面，但同时也阻绝了芯片与芯片承载盘之间的热传导。由于抛光氧化铝的热辐射吸收系数只有0.05W/(m·K)，几乎不会吸收热辐射。至于氮气的热辐射吸收系数也只有0.0196W/(m·K)，所以氮气也几乎不会吸收热辐射。至于预抽腔体内的热对流，因为要避免湍流所引起的颗粒物污染，只能采用散热效果较差的层流。

有鉴于此，目前有需要一种降低芯片温度的装置及方法的改良，以改善上述的缺点。

发明内容

本发明的目的在于提供一种降低预抽腔体中芯片温度的方法及芯片降温装置，可以更快速地降低芯片温度，相对提高芯片的产能。

为解决上述技术问题，本发明的一实施例提供一种降低预抽腔体中芯片温度的方法，包括：提供一预抽腔体及一芯片承载盘，该芯片承载盘装设于该预抽腔体内；以及导入冷却气体至该预抽腔体内，该冷却气体的成分包含有氮气以及体积比为100ppm～1％的二氧化碳。

本发明的一实施例提供一种芯片降温装置，包括：一预抽腔体；一芯片承载盘，该芯片承载盘装设于该预抽腔体内；以及一气体入口，该气体入口连接于该预抽腔体，冷却气体经由该气体入口导入至该预抽腔体内，该冷却气体的成分包含有氮气以及体积比为100ppm～1％的二氧化碳。

附图说明

图1为本发明提供的降低预抽腔体中芯片温度的方法的流程图；

图2为本发明一实施例所提供的芯片降温装置的示意图。

其中，100芯片降温装置

102 预抽腔体

104 芯片承载盘

106 气体入口