[发明专利]降低预抽腔体中芯片温度的方法及芯片降温装置有效
| 申请号: | 201610218470.4 | 申请日: | 2016-04-08 | 
| 公开(公告)号: | CN107275251B | 公开(公告)日: | 2020-10-16 | 
| 发明(设计)人: | 林志鑫;牛景豪 | 申请(专利权)人: | 上海新昇半导体科技有限公司 | 
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 | 
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 金华 | 
| 地址: | 201306 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 降低 预抽腔体中 芯片 温度 方法 降温 装置 | ||
1.一种降低预抽腔体中芯片温度的方法,包括:
提供一预抽腔体及一芯片承载盘,该芯片承载盘装设于该预抽腔体内;
导入冷却气体至该预抽腔体内,该冷却气体的成分包含有氮气以及体积比为100ppm~1%的二氧化碳;以及
气体扩散器,所述气体扩散器连接于所述冷却气体入口的下端且位于所述芯片承载盘的上方,且所述冷却气体出口位于所述芯片承载盘的下方。
2.如权利要求1所述的降低预抽腔体中芯片温度的方法,其特征在于,还包括将一芯片架设于该芯片承载盘的至少一支撑脚上,使得该芯片的背面与该芯片承载盘相间隔。
3.一种芯片降温装置,包括:
一预抽腔体;
一芯片承载盘,该芯片承载盘装设于该预抽腔体内;以及
一气体入口,该气体入口连接于该预抽腔体,冷却气体经由该气体入口导入至该预抽腔体内,该冷却气体的成分包含有氮气以及体积比为100ppm~1%的二氧化碳;以及
气体扩散器,所述气体扩散器连接于所述冷却气体入口的下端且位于所述芯片承载盘的上方,且所述冷却气体出口位于所述芯片承载盘的下方。
4.如权利要求3所述的芯片降温装置,其特征在于,还包括一气体出口,该气体入口及该气体出口分别连接于该预抽腔体的顶部与底部。
5.如权利要求3所述的芯片降温装置,其特征在于,该芯片承载盘的顶面装设有至少一支撑脚,该至少一支撑脚用以支撑一芯片的边缘。
6.如权利要求3所述的芯片降温装置,其特征在于,该预抽腔体具有一抛光氧化铝内表面。
7.如权利要求3所述的芯片降温装置,其特征在于,该芯片承载盘具有一抛光氧化铝表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





