[发明专利]一种具有照相功能的闪存存储器及制备方法、电子装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种具有照相功能的闪存存储器及制备方法、电子装置。

背景技术

通常，图像传感器是将光学图像转换成电信号的半导体器件。图像传感器包括电荷耦合器件(CCD)和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。

由于CMOS图像传感器(CMOS image sensor，CIS)具有改善的制造技术和特性，因此半导体制造技术各方面都集中于开发CMOS图像传感器。CMOS图像传感器利用CMOS技术制造，并且具有较低功耗，更容易实现高度集成，制造出尺寸更小的器件，因此，CMOS图像传感器广泛的应用于各种产品，例如数字照相机和数字摄像机等。

CMOS图像传感器(CMOS image sensor，CIS)已经在日常生活中大量应用。它是利用反向偏压的二极管，在光照的情况下产生电子，并沿内建电场移动，在PN结两级形成电势差，再通过外围电路把电荷信息按照一定方式导出，形成一定的图像。

目前所述CMOS图像传感器存在以下缺点：如果二极管里面的电荷不及时导出，等光源移走之后，电量会逐渐衰减，最终电荷消失，保持时间不会超过一秒。缺点就是电荷保存不长久。

因此，有必要提出一种新的CMOS图像传感器(CMOS image sensor，CIS)，以解决现有的技术问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要 试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为了克服目前存在的问题，本发明一方面提供了一种具有照相功能的闪存存储器，所述闪存存储器包括若干存储器单元，所述存储器单元包括：

基底；

栅极叠层，位于所述基底上方，包括依次层叠的隧穿氧化物层、浮栅层、隔离层和控制栅层；

互连结构，位于所述栅极叠层的上方并与所述栅极叠层电连接；

滤光膜，位于互连结构的上方；

棱镜，设置于所述滤光膜的表面上。

可选地，在所述互连结构上方、所述滤光膜的下方还形成有钝化层，所述钝化层具有平坦的表面。

可选地，所述滤光膜为紫外线滤光膜。

可选地，所述互连结构包括交替设置的若干通孔和金属层，所述若干通孔的长和宽的关键尺寸小于所述棱镜的长和宽的关键尺寸；所述金属层的长和宽的关键尺寸小于所述棱镜的长和宽的关键尺寸。

可选地，所述棱镜呈正方形结构。

可选地，所述闪存存储器包括彼此交叉设置的若干行字线和若干列位线，在所述字线和位线的交叉处设置有上述存储器单元。

可选地，所述存储器单元彼此之间的距离相等。

本发明提供了一种具有紫外照相功能的闪存存储器的制备方法，所述方法包括：

提供基底，在所述基底上形成栅极叠层，其中所述栅极叠层包括依次层叠的隧穿氧化物层、浮栅层、隔离层和控制栅层；

在所述栅极叠层上形成互连结构与所述栅极叠层形成电连接；

在所述互连结构的上方依次形成滤光膜和棱镜，以形成成像器件。

可选地，在形成所述棱镜之前还进一步包括在所述互连结构上方形成钝化层并且平坦化所述钝化层的步骤。

可选地，所述互连结构包括交替设置的若干通孔和金属层，所述 若干通孔的长和宽的关键尺寸小于所述棱镜的长和宽的关键尺寸；所述金属层的长和宽的关键尺寸小于所述棱镜的长和宽的关键尺寸。

可选地，所述滤光膜为紫外线滤光膜。

本发明提供了一种电子装置，包括上述的闪存存储器。

本发明为了解决中目前存在的问题，提供了一种具有照相功能的闪存存储器及制备方法，所述具有照相功能的闪存存储器包括基底、栅极叠层、互连结构和棱镜，所述栅极叠层包括依次层叠的隧穿氧化物层、浮栅层、隔离层和控制栅层。本发明所述闪存(flash)存储器平时把镜头快门关闭，无光进入，与一般的存储器并无区别。需要使用时，先把闪存(flash)数据导出，然后所有存储位(bit)都置于编程(program)的状态，进行紫外图像拍摄，所述闪存存储器只能进行一次拍摄，把数据导出后，才能拍摄第二次。

本发明闪存存储器是首次具有紫外图像拍摄功能的闪存(flash)存储芯片，具有非挥发性的优点，断电后图像信息不会丢失，而且很好的与闪存(flash)工艺结合。

附图说明