[发明专利]蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法

说明书

本申请是申请人为大日本印刷株式会社、申请日为2013年01月11日，申请号为201380005299.3、发明名称为蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法的中国专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法。

背景技术

以往，在有机电致发光元件的制造中，在形成有机电致发光元件的有机层或阴极电极时，例如使用有在应蒸镀的区域以微小间隔平行地配列多个细微的缝隙而形成的由金属构成的蒸镀掩模。在使用该蒸镀掩模的情况下，在应蒸镀的基板表面载置蒸镀掩模，使用磁铁从背面进行保持，但由于缝隙的刚性极小，故而在将蒸镀掩模保持于基板表面时，容易在缝隙产生变形，成为高精细化或缝隙长度变大的产品大型化的阻碍。

对于用于防止缝隙的变形的蒸镀掩模进行了各种检讨，例如在专利文献1中提出有如下的蒸镀掩模，其具备：兼具具备多个开口部的第一金属掩模的底板；在覆盖所述开口部的区域具备多个细微缝隙的第二金属掩模；以将第二金属掩模在缝隙的长度方向上拉伸的状态使第二金属掩模位于底板上的掩模拉伸保持装置。即，提出有将两种金属掩模组合的蒸镀掩模。根据该蒸镀掩模，在缝隙不会产生变形，能够确保缝隙精度。

但最近，伴随着使用有机电致发光元件的产品的大型化或基板尺寸的大型化，对于蒸镀掩模的大型化的要求越来越高，用于由金属构成的蒸镀掩模的制造的金属板也大型化。但是，在目前的金属加工技术中，难以在大型金属板上精度良好地形成缝隙，虽然例如通过上述专利文献1提出的方法等可防止缝隙部的变形，但也无法应对缝隙的高精细化。另外，在形成为仅由金属构成的蒸镀掩模的情况下，伴随着大型化，其质量也增大，包含框体在内的总质量也增大，故而对处理造成阻碍。

专利文献1：(日本)特开2003－332057号公报

发明内容

本发明是鉴于上述这样的状况而设立的，其主要课题在于提供即使在大型化的情况下也能够满足高精细化和轻量化二者的蒸镀掩模的制造方法、及可精度良好地制造有机半导体元件的有机半导体元件的制造方法。

为了解决上述课题，本发明的蒸镀掩模的制造方法，为将设有缝隙的金属掩模、和位于所述金属掩模的表面且纵横地配置有多列与要蒸镀制作的图案相对应的开口部层积而构成的蒸镀掩模的制造方法，其中，具备如下的工序：准备在金属板的一面设有树脂层的带树脂层的金属板；在所述带树脂层的金属板的金属板上，通过形成仅贯通该金属板的缝隙而形成带树脂层的金属掩模；然后，从所述金属掩模侧照射激光，在所述树脂层上纵横地形成多列与要蒸镀制作的图案对应的开口部，从而形成树脂掩模。

在上述方面的蒸镀掩模的制造方法中，形成所述带树脂层的金属掩模的工序为如下的工序，即，将抗蚀剂材料涂敷在所述带树脂层的金属板的未设有树脂层的面上，使用形成有缝隙图案的掩模遮蔽该抗蚀剂材料并进行曝光、显影，从而形成抗蚀剂图案，将该抗蚀剂图案用作耐蚀刻掩模，对金属板进行蚀刻加工，在蚀刻结束后将所述抗蚀剂图案洗净除去。

另外，在上述方面的蒸镀掩模的制造方法中，也可以不将所述抗蚀剂图案洗净除去而直接残留。

另外，也可以还具备在形成所述带树脂层的金属掩模的工序中得到带树脂层的金属掩模之后，将该带树脂层的金属掩模固定在含有金属的框体上的工序，在将所述带树脂层的金属掩模固定在框体上之后，进行形成所述树脂掩模的工序。

另外，为了解决上述课题，本发明的有机半导体元件的制造方法使用由具有上述方面的制造方法制造的蒸镀掩模。

根据本发明的蒸镀掩模的制造方法，能够成品率良好地制造即使在大型化的情况下也能够满足高精细化和轻量化二者的蒸镀掩模。另外，根据本发明的有机半导体元件的制造方法，能够精度良好地制造有机半导体元件。

附图说明

图l(a)～(e)是用于说明本发明的蒸镀掩模的第一制造方法的工序图；

图2(a)～(e)是用于说明本发明的蒸镀掩模的第二制造方法的工序图；

图3(a)是由上述第一制造方法制造的蒸镀掩模的从金属掩模侧观察到的正面图，(b)是由上述第一制造方法制造的蒸镀掩模100的放大剖面图；

图4是由第二制造方法制造的蒸镀掩模的放大剖面图；

图5(a)、(b)是由本发明的制造方法制造的蒸镀掩模的从金属掩模侧观察到的正面图；

图6(a)～(c)是表示阴影和金属掩模的厚度的关系的概略剖面图；

图7(a)～(d)是表示金属掩模的缝隙和树脂掩模的开口部的关系的部分概略剖面图；