[发明专利]RGBIR图像传感器

说明书

技术领域

本发明涉及图像处理领域，尤其涉及一种RGBIR图像传感器。

背景技术

现有的RGBIR图像传感器通常包括P型衬底，位于P型衬底上的外延层，所述外延层中包含若干N型区域，做为图像传感器的光电二极管区域。由于采用RGBIR彩色滤光膜阵列代替了Bayer模式的RGB彩色滤光膜阵列，该RGBIR彩色滤光膜阵列包括R、G、B、IR四种通道，其中，R通道允许红光和红外光通过，G通道允许绿光和红外光通过，B通道允许蓝光和红外光通过，IR通道仅允许红外光通过，因此R、G、B通道各自接收到的信号分别减去IR通道接收到的信号，即可得到红光、绿光、蓝光单独产生的信号，从而有效去除红外光影响而产生的噪声。然而由于红外光的波长较长，能够进入P型衬底并产生大量冗余电子，这些冗余电子容易转移至周围像素单元，造成光电二极管之间的串扰，并且导致光线亮度过高，成像色彩偏白。

发明内容

本发明的目的在于提供一种RGBIR图像传感器，减小光电二极管之间的串扰，提高成像色彩鲜艳度，改善图像质量。

基于以上考虑，本发明提供一种RGBIR图像传感器，其包括：N型衬底；位于N型衬底上的外延层；所述外延层中包含若干第一N型区域，做为图像传感器的光电二极管区域；RGBIR彩色滤光膜阵列；光通过RGBIR阵列于N型衬底中形成冗余电子，于N型衬底加正压，抽取冗余电子以防止转移至周围像素单元，减小光电二极管之间的串扰。

优选地，所述外延层为P型外延层。

优选地，所述外延层为N型外延层，N型衬底与N型外延层之间还设置有P型隔离层。

优选地，所述RGBIR图像传感器还包括：位于像素阵列周围区域的第二N型区域，所述第二N型区域与N型衬底连通，于第二N型区域加正压，适于抽取像素单元中的冗余电子。

优选地，所述第二N型区域包括：靠近表面的浅N型区域及位于其下部的深N型区域。

本发明的RGBIR图像传感器，采用N型衬底代替现有技术中的P型衬底，并于N型衬底加正压，抽取N型衬底中的冗余电子以防止转移至周围像素单元，减小光电二极管之间的串扰，提高成像色彩鲜艳度，改善图像质量。

附图说明

通过参照附图阅读以下所作的对非限制性实施例的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显。

图1为本发明的RGBIR图像传感器的一个实施例的结构示意图；

图2为本发明的RGBIR图像传感器的另一实施例的结构示意图。

在图中，贯穿不同的示图，相同或类似的附图标记表示相同或相似的装置（模块）或步骤。

具体实施方式

为解决上述现有技术中的问题，本发明提供一种RGBIR图像传感器，采用N型衬底代替现有技术中的P型衬底，并于N型衬底加正压，抽取N型衬底中的冗余电子以防止转移至周围像素单元，减小光电二极管之间的串扰，提高成像色彩鲜艳度，改善图像质量。

在以下优选的实施例的具体描述中，将参考构成本发明一部分的所附的附图。所附的附图通过示例的方式示出了能够实现本发明的特定的实施例。示例的实施例并不旨在穷尽根据本发明的所有实施例。可以理解，在不偏离本发明的范围的前提下，可以利用其他实施例，也可以进行结构性或者逻辑性的修改。因此，以下的具体描述并非限制性的，且本发明的范围由所附的权利要求所限定。

图1示出本发明的RGBIR图像传感器的一个实施例。该RGBIR图像传感器包括：N型衬底101；位于N型衬底101上的P型外延层102；所述P型外延层102中包含若干第一N型区域103，做为图像传感器的光电二极管区域；RGBIR彩色滤光膜阵列104。由于采用了N型衬底101代替现有技术中的P型衬底，并于N型衬底101加正压，抽取N型衬底101中的冗余电子以防止转移至周围像素单元，减小了光电二极管之间的串扰，提高了成像色彩鲜艳度，改善了图像质量。

优选地，所述RGBIR图像传感器还包括：位于像素阵列周围区域的第二N型区域107，在本实施例中，所述第二N型区域107包括：靠近表面的浅N型区域105及位于其下部的深N型区域106，所述第二N型区域107与N型衬底101连通，于第二N型区域107加正压，例如于靠近表面的浅N型区域105加正压，适于抽取像素单元中的冗余电子。