[发明专利]RGBIR图像传感器在审
申请号: | 201610203367.2 | 申请日: | 2016-04-05 |
公开(公告)号: | CN107293559A | 公开(公告)日: | 2017-10-24 |
发明(设计)人: | 李杰;赵立新;李文强;李强 | 申请(专利权)人: | 格科微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | rgbir 图像传感器 | ||
1.一种RGBIR图像传感器,其特征在于,其包括:
N型衬底;
位于N型衬底上的外延层;所述外延层中包含若干第一N型区域,做为图像传感器的光电二极管区域;
RGBIR彩色滤光膜阵列;
光通过RGBIR阵列于N型衬底中形成冗余电子,于N型衬底加正压,抽取冗余电子以防止转移至周围像素单元,减小光电二极管之间的串扰。
2.根据权利要求1所述的RGBIR图像传感器,其特征在于,所述外延层为P型外延层。
3.根据权利要求1所述的RGBIR图像传感器,其特征在于,所述外延层为N型外延层,N型衬底与N型外延层之间还设置有P型隔离层。
4.根据权利要求1所述的RGBIR图像传感器,其特征在于,还包括:位于像素阵列周围区域的第二N型区域,所述第二N型区域与N型衬底连通,于第二N型区域加正压,适于抽取像素单元中的冗余电子。
5.根据权利要求4所述的RGBIR图像传感器,其特征在于,所述第二N型区域包括:靠近表面的浅N型区域及位于其下部的深N型区域。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格科微电子(上海)有限公司,未经格科微电子(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610203367.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的