[发明专利]用于制造具有导电屏蔽层的集成电路（IC）封装体的方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路(IC)封装体领域，并且更加具体地涉及对IC封装体进行电屏蔽。

背景技术

在无线通信装置中通常需要将某些集成电路(IC)封装体与电磁干扰(EMI)隔离开来以便维持适当的装置性能。电磁干扰可能从环境中接收、或者可能被传递至环境。

一种用于屏蔽IC封装体以免于电磁干扰的方式是用通常被称为罐的接地金属包壳来覆盖该IC封装体。然而，这种方式可能是昂贵的并且缺少涉及灵活性。此外，该金属罐增加了重量并且显著增大了该IC封装体的占用面积的尺寸。

另一种方式是使用在真空室中将导电层沉积在IC封装体的上表面上的物理气相沉积(PVD)工艺。溅射是一种类型的PVD，其涉及在真空室中将来自作为来源的靶材的材料喷射到衬底(例如IC封装体)上。然而，这种方式是昂贵的并且是对用于制造IC封装体的工艺进行延伸的分开的独立工艺。因此，需要以相对直接的方式来电屏蔽IC封装体。

发明内容

一个方面涉及一种用于制造多个集成电路(IC)封装体的方法。该方法可以包括：邻近模具的内部来定位导电屏蔽层，其中，该导电屏蔽层由膜所承载；将该模具耦接到衬底上，该衬底在其上承载多个IC；并且将模制材料供应到该模具的内部中以在该多个IC和该衬底之上形成包封体，其中，该导电屏蔽层在该包封体的 外表面处。可以使该模具与该包封体分离，从而使得该膜与该导电屏蔽层分离。

该方法可以进一步包括：对该衬底进行分割以提供该多个IC封装体。每个IC封装体都仅在该包封体的上表面上具有该导电屏蔽层。

使用导电屏蔽层有利地消除了为了屏蔽这些IC而必须执行额外的处理步骤。对该导电屏蔽层的使用还提供了均匀的屏蔽层厚度，并且减少了处理费用。

另一个方面涉及一种用于制造单个IC封装体的方法。该方法可以包括：邻近模具的内部来定位导电屏蔽层，其中，该导电屏蔽层由膜所承载。可以将模制材料供应到该模具的内部中。可以将在其上承载该IC的该衬底耦接至该模具以在该IC和该衬底之上形成包封体，其中，该导电屏蔽层在该包封体的外表面处。该包封体可以与该模具分离，从而使得该膜与该导电屏蔽层分离。

该导电屏蔽层可以保留在该包封体的多个侧壁上。该衬底可以在其上承载至少一个电导体。为了更好地保护IC封装体不受电磁干扰，可以将导电屏蔽层耦接至该至少一个电导体。

附图说明

图1是根据本发明的用于制造多个集成电路(IC)封装体的流程图，该多个集成电路封装体各自包括一个导电屏蔽层。

图2至图5是该多个IC封装体在基于图1中的流程图的不同制造步骤的横截面视图。

图6是基于图1中的流程图所制造的该多个IC封装体的横截面视图。

图7是根据本发明的用于制造包括导电屏蔽层的单个IC封装体的流程图。

图8至图11是该单个IC封装体在基于图1中的流程图的不同制造步骤的横截面视图。

图12是基于图7中的流程图所制造的该单个IC封装体的横截面视图。

具体实施方式

现在将参照附图在下文中更为全面地描述本发明，在附图中示出了本发明的优选实施例。然而，本发明可以用许多不同的形式来体现，并且不应当被解释为限于在此所列出的实施例。相反，提供了这些实施例从而使得本披露将是全面和完整的，并且将向本领域技术人员完全传达本发明的范围。贯穿全文相同的数字指代相同的元件。

下面将详细地讨论一种用于制造具有导电屏蔽层的至少一个集成电路(IC)封装体的方法。一般而言，该方法包括：邻近模具的内部来定位导电屏蔽层；并且将该模具耦接到衬底上，该衬底在其上承载至少一个IC。模制材料被供应到该模具的内部中以在该至少一个IC和该衬底之上形成包封体，其中，该导电屏蔽层在该包封体的外表面处。可替代地，可以在将该模具耦接到其上承载了至少一个IC的衬底上之前将该模制材料供应到该模具的内部中。

现将参照在图1中展示的流程图10以及在图2至图6中的横截面视图来讨论一种用于制造多个IC封装体70的方法，其中，每个IC封装体都包括一个导电屏蔽层40。

在所展示的实施例中，衬底30承载着多个IC 32，如在图2中所展示的。在每个IC 32上的触点被引线键合34到衬底30上的多个凸块。从开始(框12)，该方法包括：在框14处，邻近模具50的内部52来定位导电屏蔽层40。该导电屏蔽层40由膜42所承载。