[发明专利]用于制造具有导电屏蔽层的集成电路（IC）封装体的方法

权利要求书

1.一种用于制造至少一个集成电路(IC)封装体的方法，所述方法包括：

邻近模具的内部来定位导电屏蔽层；

将所述模具耦接到衬底上，所述衬底在其上承载至少一个IC；并且

将模制材料供应到所述模具的所述内部中以在所述至少一个IC和所述衬底之上形成包封体，其中，所述导电屏蔽层在所述包封体的外表面处。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述导电屏蔽层由膜所承载。

3.根据权利要求2所述的方法，包括使所述模具与所述包封体分离，从而使得所述膜与所述导电屏蔽层分离。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述膜具有在70微米-100微米的范围内的厚度。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述导电屏蔽层具有在20微米-30微米的范围内的厚度。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述至少一个IC包括多个IC；并且所述方法进一步包括对所述衬底进行分割以提供多个IC封装体。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，每个IC封装体都仅在所述包封体的上表面上具有所述导电屏蔽层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述导电屏蔽层保留在所述包封体的多个侧壁上。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述至少一个IC包括单个IC。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底在其上承载至少一个电导体；并且所述方法进一步包括将所述导电屏蔽层耦接至所述至少一个电导体。

11.一种用于制造多个集成电路(IC)封装体的方法，所述方法包括：

邻近模具的内部来定位导电屏蔽层，其中，所述导电屏蔽层由膜所承载；

将所述模具耦接到衬底上，所述衬底在其上承载多个IC；

将模制材料供应到所述模具的所述内部中以在所述多个IC和所述衬底之上形成包封体，其中，所述导电屏蔽层在所述包封体的外表面处；

使所述模具与所述包封体分离，从而使得所述膜与所述导电屏蔽层分离；并且

对所述衬底进行分割以提供所述多个IC封装体。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述膜具有在70微米-100微米的范围内的厚度。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述导电屏蔽层具有在20微米-30微米的范围内的厚度。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，每个IC封装体都仅在所述包封体的上表面上具有所述导电屏蔽层。

15.一种用于制造集成电路(IC)封装体的方法，所述方法包括：

邻近模具的内部来定位导电屏蔽层，其中，所述导电屏蔽层由膜所承载；

将模制材料供应到所述模具的所述内部中；

将其上承载有所述IC的所述衬底耦接至所述模具以在所述IC和所述衬底之上形成包封体，其中，所述导电屏蔽层在所述包封体的外表面处；并且

使所述包封体与所述模具分离，从而使得所述膜与所述导电屏蔽层分离。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述膜具有在70微米-100微米的范围内的厚度。

17.根据权利要求15所述的方法，其中，所述导电屏蔽层具有在20微米-30微米的范围内的厚度。

18.根据权利要求15所述的方法，其中，所述导电屏蔽层保留在所述包封体的多个侧壁上。

19.根据权利要求15所述的方法，其中，所述衬底在其上承载至少一个电导体；并且其中，所述导电屏蔽层被耦接至所述至少一个电导体。