[发明专利]一种免塑封体开孔的POP封装件及其制作工艺

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路领域，具体是一种免塑封体开孔的POP封装件及其制作工艺。

背景技术

传统POP封装过程中的TMV（塑封体穿孔技术）的使用，是通过激光实现，成本很高。

发明内容

对于上述现有技术存在的问题，本发明提供了一种免塑封体开孔的POP封装件及其制作工艺，其避免在塑封体上进行开孔，节省了设备开支，极大的缩小封装成本。

一种免塑封体开孔的POP封装件，所述封装件主要由基板、焊盘、锡柱围墙、锡柱、凸点、倒装芯片、锡球、塑封体、上层器件成品和上层器件锡球组成；所述倒装芯片通过凸点与基板上的焊盘连接；所述锡柱围墙在基板上的焊盘周围，锡柱注满锡柱围墙；塑封体包围锡柱围墙、倒装芯片及其底部和基板上部；基板下部植锡球；锡柱上部植上层器件锡球，并与上层器件成品连接。

所述锡柱围墙采用光刻胶或者绿油等非导电材质制成。

所述制作工艺主要工艺流程为：晶圆减薄——划片——倒装上芯——底部填充——锡柱围墙开口处植球——回流——塑封——研磨——植球——上层器件贴装。

一种免塑封体开孔的POP封装件的制作工艺，具体按照以下步骤进行：

第一步：晶圆减薄，减薄范围为50um—250um；

第二步：划片，形成单颗倒装芯片；

第三步：准备基板，基板上有焊盘；

第四步：在基板焊盘上制作锡柱围墙；

第五步：植球，将锡柱成型前锡球置于基板的锡柱围墙上并进行回流，形成锡柱；

第六步：倒装焊接并底部填充胶水，将芯片通过凸点与基板上的焊盘连接；

第七步：塑封；

第八步：研磨，塑封体减薄达到要求厚度，将锡柱漏出；

第九步：植球，基板下部植锡球；

第十步：锡柱上部植上层器件锡球，并与上层器件成品连接。

所述第五步可代替为：用成型的锡柱直插入锡柱围墙。

所述第六步不用底部填充胶水。

所述第八步可代替为：采用切割代替研磨减薄，切割方式包括刀具切割和激光切割。

附图说明

图1为基板图；

图2为基板焊盘上进行锡柱围墙制作图；

图3为锡柱围墙上植球图；

图4为锡球回流形成锡柱图；

图5为倒装焊接图；

图6为塑封图；

图7为研磨图；

图8为植球图；

图9为上层成品器件连接图。

图中，1为基板，2为焊盘，3为锡柱围墙，4为锡柱，5为凸点，6为倒装芯片，7为锡球，8为塑封体，9为上层器件成品，10为上层器件锡球，11为锡柱成型前锡球。

具体实施方式

一种免塑封体开孔的POP封装件，所述封装件主要由基板1、焊盘2、锡柱围墙3、锡柱4、凸点5、倒装芯片6、锡球7、塑封体8、上层器件成品9和上层器件锡球10组成；所述倒装芯片6通过凸点5与基板1上的焊盘2连接；所述锡柱围墙3在基板1上的焊盘2周围，锡柱4注满锡柱围墙3；塑封体8包围锡柱围墙3、倒装芯片6及其底部和基板1上部；基板1下部植锡球7；锡柱4上部植上层器件锡球10，并与上层器件成品9连接。

所述锡柱围墙3采用光刻胶或者绿油等非导电材质制成。

所述制作工艺主要流程为：晶圆减薄——划片——倒装上芯——底部填充——锡柱围墙开口处植球——回流——塑封——研磨——植球——上层器件贴装。

一种免塑封体开孔的POP封装件的制作工艺，具体按照以下步骤进行：

第一步：晶圆减薄，减薄范围为50um—250um；

第二步：划片，形成单颗倒装芯片6；

第三步：准备基板1，基板1上有焊盘2，如图1所示；

第四步：在基板1焊盘2上制作锡柱围墙3，如图2所示；

第五步：植球，将锡柱成型前锡球11置于基板1的锡柱围墙3上并进行回流，形成锡柱4，如图3和图4所示；

第六步：倒装焊接并底部填充胶水，将芯片6通过凸点5与基板1上的焊盘2连接，如图5所示；

第七步：塑封，如图6所示；

第八步：研磨，塑封体8减薄达到要求厚度，将锡柱4漏出，如图7所示；

第九步：植球，基板1下部植锡球7，如图8所示；

第十步：锡柱4上部植上层器件锡球10，并与上层器件成品9连接，如图9所示。

所述第五步可代替为：用成型的锡柱直插入锡柱围墙3。