[发明专利]一种PN结辅助触发SCR-LDMOS结构的高压ESD保护器件有效

专利信息
申请号: 201610189737.1 申请日: 2016-03-30
公开(公告)号: CN105742281B 公开(公告)日: 2018-06-12
发明(设计)人: 滕国兵;成建兵;陈旭东;郭厚东 申请(专利权)人: 南京邮电大学
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 朱小兵;朱桢荣
地址: 210023 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 重掺杂 源极 漏极 辅助触发 埋氧层 漂移区 衬底 反偏 空穴载流子 触发电压 维持电压 有效抑制 闩锁效应 正反馈 触发 寄生 正向 引入
【权利要求书】:

1.一种PN结辅助触发SCR-LDMOS结构的高压ESD保护器件,其特征在于,包括P型硅衬底,所述P型硅衬底上设有埋氧层,埋氧层上设有漂移区,漂移区的上方从左到右依次设有N-buffer区、P区、P-body区;所述N-buffer区中从左到右依次设有第一漏极重掺杂N+区和第一漏极重掺杂P+区;所述P-body区中从左到右依次设有第二源极重掺杂N+区、第二源极重掺杂P+区及第三源极重掺杂P+区;第一漏极重掺杂P+区和P区之间设有第一薄氧化层,P区和P-body区之间设有第二薄氧化层,第二源极重掺杂N+区和第二源极重掺杂P+区之间设有第三薄氧化层,第二源极重掺杂P+区和第三源极重掺杂P+区之间设有第四薄氧化层;P-body区完全包覆第二源极重掺杂N+区,即使形成沟道区,沟道区的上方设有多晶硅栅极,且多晶硅栅极延伸至第二薄氧化层的上表面;第一漏极重掺杂N+区和第一漏极重掺杂P+区通过导线相连;P区和第二源极重掺杂P+区通过导线相连;多晶硅栅极、第二源极重掺杂N+区、第三源极重掺杂P+区均接地。

2.根据权利要求1所述的一种PN结辅助触发SCR-LDMOS结构的高压ESD保护器件,其特征在于,所述P型硅衬底为SOI硅衬底。

3.根据权利要求1所述的一种PN结辅助触发SCR-LDMOS结构的高压ESD保护器件,其特征在于,多晶硅栅极、第二源极重掺杂N+区、第三源极重掺杂P+区均通过导线相连接地。

4.根据权利要求1所述的一种PN结辅助触发SCR-LDMOS结构的高压ESD保护器件,其特征在于,所述P区的浓度和P-body区的浓度相等。

5.根据权利要求1所述的一种PN结辅助触发SCR-LDMOS结构的高压ESD保护器件,其特征在于,所述P区与P-body区的距离可调。

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