[发明专利]一种降低器件漏电流的方法

权利要求书

1.一种降低器件漏电流的方法，其特征在于，包括：

步骤01：提供一硅衬底，所述硅衬底具有栅极、栅极侧墙、栅极底部的栅氧层、位于栅极两侧底部的源漏区、以及位于栅极下方的沟道区域；

步骤02：采用倾斜离子注入方式将不具有导电性的中性元素注入到栅极侧墙下方的硅衬底中，从而在栅极侧墙底部的硅衬底中形成中性元素阻挡区；

步骤03：在硅衬底上沉积金属层；

步骤04：经退火工艺，使得栅极顶部和源漏区顶部的硅原子与金属层中的金属原子结合，从而在栅极顶部和源漏区顶部形成金属硅化物区；其中，在金属层中的金属原子向源漏区内扩散时，中性元素阻挡区阻碍金属原子向沟道区域的扩散，使得所述源漏区的所述金属硅化物区与所述中性元素阻挡区的交界于所述栅极侧墙下方；

步骤05：去除完成步骤04的硅衬底的表面的金属层，并再进行退火工艺完成金属硅化过程。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述不具有导电性的中性元素为碳、氮、氟、锗的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤02中，倾斜离子注入时注入离子的方向与硅衬底法线方向呈5～45度的夹角。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述倾斜离子注入所形成的中性元素阻挡区在水平方向延伸的长度为3～5nm。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述倾斜离子注入时采用的离子注入剂量为每立方厘米的原子数量为1E13～1E15。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述倾斜离子注入时采用的能量为6～10KeV。