[发明专利]一种金刚线切割的多晶硅片的制绒方法有效
申请号: | 201610186857.6 | 申请日: | 2016-03-29 |
公开(公告)号: | CN105679882B | 公开(公告)日: | 2017-06-13 |
发明(设计)人: | 周军;党继东;刘东续 | 申请(专利权)人: | 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C30B33/10 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 张海英,林波 |
地址: | 224431 江苏省盐*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 金刚 切割 多晶 硅片 方法 | ||
1.一种金刚线切割的多晶硅片的制绒方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1):预处理,对金刚线切割的多晶硅片进行清洗,清洗后烘干;
步骤2):热处理,对所述步骤1)中处理后的多晶硅片进行加热处理;
步骤3):制绒,将所述步骤2)处理后的多晶硅片放入酸混合溶液中进行制绒,得到制绒后的多晶硅片;
所述步骤2)中的加热处理的加热温度为700~840℃,加热时间为50~600s。
2.根据权利要求1所述的制绒方法,其特征在于,所述步骤1)中的清洗为RCA溶液清洗,且RCA溶液中的NH4OH、H2O2、H2O的体积比为1:1:5。
3.根据权利要求1所述的制绒方法,其特征在于,所述步骤1)中的烘干具体为:通过电阻率大于16MΩ的高洁净度的DI水加热后的表面张力将硅片表面的水去除,在多晶硅片的顶部向下吹80~100℃的洁净风进行烘干。
4.根据权利要求1所述的制绒方法,其特征在于,所述步骤3)中的酸混合溶液为HF/HNO3混合液。
5.根据权利要求4所述的制绒方法,其特征在于,所述HF/HNO3混合液中,HF:HNO3的体积比为1:7~3:7。
6.根据权利要求1所述的制绒方法,其特征在于,所述步骤3)中的多晶硅片放入酸混合溶液中制绒的时间为90~150s。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的