[发明专利]一种提高千层塔外植体表面灭菌效率的方法

权利要求书

1.一种提高千层塔外植体表面灭菌效率的方法，其特征在于，该方法包括在低压环境中将千层塔外植体采用灭菌剂进行灭菌，灭菌后的千层塔外植体在低压环境中培养；

所述的低压环境是指压力为40～60KPa。

2.如权利要求1所述的提高千层塔外植体表面灭菌效率的方法，其特征在于，所述的千层塔外植体指千层塔的根、千层塔的茎或千层塔的叶。

3.如权利要求1或2所述的提高千层塔外植体表面灭菌效率的方法，其特征在于，千层塔外植体采用灭菌剂进行灭菌包括：取千层塔外植体依次经流水冲洗、体积分数为75％的乙醇溶液浸泡、体积分数为5％的NaOCl溶液浸泡及体积分数为7％的过氧化氢溶液浸泡，千层塔外植体经NaOCl溶液和过氧化氢溶液浸泡时处于低压环境。

4.如权利要求3所述的提高千层塔外植体表面灭菌效率的方法，其特征在于，千层塔外植体在NaOCl溶液中浸泡的低压环境时间为5～15min，千层塔外植体在过氧化氢溶液中浸泡的低压环境时间为5～10min。

5.如权利要求1或2所述的提高千层塔外植体表面灭菌效率的方法，其特征在于，将经过灭菌剂灭菌处理的千层塔外植体转接到MS固体培养基上于低压环境中培养，2周后取出千层塔外植体转移到常压培养室继续培养。

6.如权利要求5所述的提高千层塔外植体表面灭菌效率的方法，其特征在于，低压环境中培养的光照强度为2000Lux，低压环境中培养的光周期为16h；在常压培养室中的培养的温度为25℃。

7.如权利要求5所述的提高千层塔外植体表面灭菌效率的方法，其特征在于，在所述的MS固体培养基中添加100～200mg/L的两性霉素B。

8.如权利要求5所述的提高千层塔外植体表面灭菌效率的方法，其特征在于，所述的低压环境中培养的培养温度为30～40℃。