[发明专利]一种顶发射型显示面板及制作方法

说明书

本发明提供了一种顶发射型显示面板及其制作方法。所述顶发射型显示面板包括TFT阵列基板、设置在TFT阵列基板上的发光器件和用于封装所述发光器件的封装层，其中，所述发光器件为顶发射发光器件，包括依次设置在所述TFT阵列基板上的底电极、发光层和顶电极；所述顶电极上设置有透明导电超疏水薄膜。

技术领域

本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种顶发射型显示面板及制作方法。

背景技术

在信息社会的当代，作为可视信息传输媒介的显示器的重要性在进一步加强，为了在未来占据主导地位，显示器正朝着更轻、更薄、更低能耗、更低成本以及更好图像质量的趋势发展。

有机电致发光二极管(OLED)由于具有自发光、反应快、视角广、亮度高、轻薄等优点，其潜在的市场前景被业界看好。量子点发光二极管(QLED)由于其光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色易调等优点，近年来成了OLED的有力竞争者。因此，这两种显示技术是目前显示领域发展的两个主要方向。

由于OLED以及QLED均为主动发光器件，因此其需要设计较为复杂的驱动电路进行驱动。然而，复杂的驱动电路导致制作的底发射发光器件开口率较小，不利于发光器件的功耗以及使用寿命。顶发射结构则可大幅提高发光器件的开口率，从而降低发光器件的功耗，提高使用寿命。但顶发射发光器件对顶部电极要求较高，既需要其具备良好的导电性，又需要满足良好的透明性。目前较为常用的顶部透明电极为较薄的金属薄膜(10-20nm)或导电金属氧化物(如ITO)。金属薄膜越薄，透光性越好，但导电性会相对降低，因此需要对其导电性和透明性进行平衡，目前仍无法达到理想效果。而ITO导电性相对有限，尤其是制作大面积器件时，其Rc(ITO自身电阻)形成的电压降会导致mura(显示器亮度不均匀，造成各种痕迹的现象)的形成，从而影响显示效果。另外，ITO通常采用溅射工艺制备，溅射工艺会对下层薄膜造成一定的损伤。此外，由于发光器件特别是OLED对水、氧比较敏感，使得顶电极需具有一定耐水氧性，且发光器件需严格的封装。因此，现有技术有待改进和进一步发展。

发明内容

本发明的目的在于提供一种顶发射型显示面板，旨在解决由于现有顶发射发光器件的顶部透明电极难以兼顾良好的导电性和透明性、导致发光器件的性能和使用寿命不佳的问题。

本发明的另一目的在于提供一种顶发射型显示面板的制备方法。

本发明是这样实现的，一种顶发射型显示面板，包括TFT阵列基板、设置在TFT阵列基板上的发光器件和用于封装所述发光器件的封装层，其中，所述发光器件为顶发射发光器件，包括依次设置在所述TFT阵列基板上的底电极、发光层和顶电极；所述顶电极上设置有透明导电超疏水薄膜。

以及，一种顶发射型显示面板的制备方法，包括以下步骤：

提供一TFT阵列基板；

在所述TFT阵列基板上制作发光器件，且所述发光器件为顶发射发光器件，包括依次设置在所述TFT阵列基板上的底电极、发光层和顶电极；

在所述顶电极上制作透明导电超疏水薄膜；

进行封装处理。

本发明提供的顶发射型显示面板，在所述顶发射发光器件的顶部透明电极上端设置了透明导电超疏水薄膜。所述透明导电超疏水薄膜的引入，可以在保证所述顶电极导电性能的前提下，适当减小所述顶电极的厚度，进而提高整个所述顶电极的透光性。此外，由于在所述顶发射发光器件的外表面覆盖了透明导电超疏水薄膜，所述透明导电超疏水薄膜具有超疏水性，因此，可以有效地防止外部水分渗入发光器件，从而提高发光器件的使用寿命。

本发明提供的顶发射型显示面板的制备方法，操作简单易控，易于实现显示面板的产业化生产。

附图说明

图1是本发明实施例提供的顶发射型显示面板的结构示意图；