[发明专利]一种顶发射型显示面板及制作方法

权利要求书

1.一种顶发射型显示面板，其特征在于，包括TFT阵列基板、设置在TFT阵列基板上的发光器件和用于封装所述发光器件的封装层，其中，所述发光器件为顶发射发光器件，包括依次设置在所述TFT阵列基板上的底电极、发光层和顶电极；所述顶电极为透明电极，所述顶电极上设置有透明导电超疏水薄膜，所述透明导电超疏水薄膜由导电碳纳米管和疏水树脂复合组成的复合材料层，以所述透明导电超疏水薄膜的总量为100％计，所述导电碳纳米管的质量百分含量为5-20％。

2.如权利要求1所述的顶发射型显示面板，其特征在于，所述透明导电超疏水薄膜的厚度为100-1000nm。

3.如权利要求1-所述的顶发射型显示面板，其特征在于，所述透明导电超疏水薄膜为经过氟化疏水处理的透明导电超疏水薄膜。

4.如权利要求3所述的顶发射型显示面板，其特征在于，所述氟化疏水处理采用CF₄等离子体处理实现。

5.如权利要求1-4任一所述的顶发射型显示面板，其特征在于，所述透明导电超疏水薄膜表面具有微纳结构。

6.如权利要求1-4任一所述的顶发射型显示面板，其特征在于，所述发光器件为OLED或QLED。

7.如权利要求1-4任一所述的顶发射型显示面板，其特征在于，所述发光层为空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、光发射层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层的多层叠层。

8.一种顶发射型显示面板的制备方法，包括以下步骤：

提供一TFT阵列基板；

在所述TFT阵列基板上制作发光器件，且所述发光器件为顶发射发光器件，包括依次设置在所述TFT阵列基板上的底电极、发光层和顶电极，其中，所述顶电极为透明电极；

在所述顶电极上制作透明导电超疏水薄膜，所述透明导电超疏水薄膜由导电碳纳米管和疏水树脂复合组成的复合材料层，以所述透明导电超疏水薄膜的总量为100％计，所述导电碳纳米管的质量百分含量为5-20％；

进行封装处理。